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功率最大值
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安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
¥18.72
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 10.3A PWDI3333-8
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
55.4nC @ 10V
2577pF @ 30V
±20V
-
1W（Ta）
13 毫欧 @ 10A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
DMN6013LFG-7
-
表面贴装
8-PowerWDFN
PowerDI3333-8
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 11A TO252-3L
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
27.6nC @ 10V
1289pF @ 15V
±20V
-
1.68W（Ta）
9.3 毫欧 @ 11.6A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
DMG8880LK3-13
-
表面贴装
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
TO-252-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
京电港自营
自营
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DMC3028LSDXQ-13
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
N 和 P 沟道
标准
30V
5.5A，5.8A
27 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 5V
641pF @ 15V
1.2W
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 40V 9.1A 8-SO
京电港自营
自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
47.5nC @ 5V
4234pF @ 20V
±25V
-
1.45W（Ta）
11 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
DMP4015SSS-13
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 200V 180MA TO92-3
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V，5V
1.5V @ 1mA
-
85pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
10 欧姆 @ 250mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
ZVNL120A
-
通孔
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
TO-92-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.96
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 2.1A SOT223
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
±20V
-
3W（Ta）
330 毫欧 @ 3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
ZVN4306GVTA
-
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥19.17
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 500V 0.15A POWERDI5
京电港自营
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DXTP560BP5-13
-
PNP
150mA
500V
500mV @ 10mA，50mA
100nA
80 @ 50mA，10V
2.8W
60MHz
表面贴装
PowerDI™ 5
PowerDI™ 5
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥19.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
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DMN4026SSDQ-13
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SO
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
¥19.17
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 3.5A E-LINE
京电港自营
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ZTX618
-
NPN
3.5A
20V
255mV @ 50mA，3.5A
100nA
300 @ 200mA，2V
1W
140MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥19.59
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223
京电港自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
160 毫欧 @ 2.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
ZXMP7A17GTA
-
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥19.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 3.5A TO92-3
京电港自营
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ZXTP2012ASTZ
-
PNP
3.5A
60V
210mV @ 400mA，4A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，1V
1W
120MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥19.86
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
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DMG4511SK4-13
-
表面贴装
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
TO-252-4L
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 和 P 沟道，共漏
逻辑电平门
35V
5.3A，5A
35 毫欧 @ 8A，10V
3V @ 250µA
18.7nC @ 10V
850pF @ 25V
1.54W
¥19.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 20V 5.5A SOT23F-3
京电港自营
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ZXTP19020DFFTA
-
PNP
5.5A
20V
175mV @ 550mA，5.5A
50nA（ICBO）
300 @ 100mA，2V
1.5W
176MHz
表面贴装
SOT-23-3 扁平引线
SOT-23F
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 140V 2.5A SOT23-3
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ZXTP23140BFHTA
-
PNP
2.5A
140V
280mV @ 250mA，2.5A
20nA（ICBO）
100 @ 1A，5V
1.25W
130MHz
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 5A SOT23-3
京电港自营
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ZXTN2018FTA
-
NPN
5A
60V
210mV @ 300mA，6A
20nA（ICBO）
100 @ 2A，1V
1.2W
130MHz
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.07
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 50V 5A SOT23-3
京电港自营
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ZXTP2025FTA
-
PNP
5A
50V
200mV @ 500mA，5A
20nA（ICBO）
200 @ 500mA，2V
1.2W
190MHz
表面贴装
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥20.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
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ZXMP3A16DN8TA
-
表面贴装
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
8-SOP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.2A
45 毫欧 @ 4.2A，10V
1V @ 250µA（最小）
29.6nC @ 10V
1022pF @ 15V
1.8W
¥20.52
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 5.5A SOT223
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ZXTN19100CGTA
-
NPN
5.5A
100V
430mV @ 550mA，5.5A
50nA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
3W
150MHz
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥20.52
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 20V 7A SOT223
京电港自营
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ZXTN25020DGTA
-
NPN
7A
20V
290mV @ 700mA，7A
50nA（ICBO）
300 @ 10mA，2V
3W
215MHz
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥20.52
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 7A SOT223
京电港自营
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ZXTN19060CGTA
-
NPN
7A
60V
300mV @ 700mA，7A
50nA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
3W
130MHz
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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