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安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 2A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX749
-
PNP
2A
25V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
1W
160MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP DARL 120V 1A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX705
-
PNP - 达林顿
1A
120V
2.5V @ 2mA，2A
10µA
3000 @ 1A，5V
1W
160MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 2A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX651
-
NPN
2A
60V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
-
1W
175MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN DARL 160V 1A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX601B
-
NPN - 达林顿
1A
160V
1.2V @ 10mA，1A
10µA
10000 @ 500mA，10V
1W
250MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥21.42
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 400V 0.5A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX658
-
NPN
500mA
400V
500mV @ 10mA，100mA
100nA（ICBO）
50 @ 100mA，5V
1W
50MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX696B
-
NPN
500mA
180V
250mV @ 5mA，200mA
100nA（ICBO）
150 @ 200mA，5V
1W
70MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 60V 5A SOT89
京电港自营
自营
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ZXTN2010ZTA
-
NPN
5A
60V
230mV @ 300mA，6A
50nA（ICBO）
100 @ 2A，1V
2.1W
130MHz
表面贴装
TO-243AA
SOT-89-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 100V 2A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX753STZ
-
PNP
2A
100V
500mV @ 200mA，2A
10µA（ICBO）
-
1W
140MHz
通孔
E-Line-3，成型引线
E-Line（TO-92 兼容）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 120V 0.5A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX694B
-
NPN
500mA
120V
500mV @ 5mA，400mA
100nA（ICBO）
400 @ 200mA，2V
1W
130MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 40V 3A SOT-223
京电港自营
自营
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FZT1151ATA
-
PNP
3A
40V
300mV @ 250mA，3A
100nA
250 @ 500mA，2V
2.5W
145MHz
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥22.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 31V 40V POWERDI506
京电港自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
41.9nC @ 10V
2082pF @ 25V
±20V
-
2.8W（Ta）, 136W（Tc）
7.6 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMTH4007SPS-13
-
表面贴装
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 70V 1A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX692B
-
NPN
1A
70V
500mV @ 10mA，1A
100nA（ICBO）
400 @ 500mA，2V
1W
150MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 60V 4.3A SOT89
京电港自营
自营
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ZXTP2012ZTA
-
PNP
4.3A
60V
215mV @ 500mA，5A
20nA（ICBO）
100 @ 2A，1V
1.5W
120MHz
表面贴装
TO-243AA
SOT-89-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223
京电港自营
自营
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P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1V @ 250µA
18nC @ 10V
635pF @ 40V
±20V
-
2W（Ta）
160 毫欧 @ 2.1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
ZXMP7A17GQTA
-
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 4A SOT-223
京电港自营
自营
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FZT1149ATA
-
PNP
4A
25V
350mV @ 140mA，4A
100nA
250 @ 500mA，2V
2.5W
135MHz
表面贴装
TO-261-4，TO-261AA
SOT-223
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 2A E-LINE
京电港自营
自营
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ZTX690B
-
NPN
2A
45V
500mV @ 5mA，1A
100nA（ICBO）
400 @ 1A，2V
1W
150MHz
通孔
E-Line-3
E-Line（TO-92 兼容）
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 4.5A SOT89
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
ZXTN2011ZTA
-
NPN
4.5A
100V
195mV @ 500mA，5A
50nA（ICBO）
100 @ 2A，2V
2.1W
130MHz
表面贴装
TO-243AA
SOT-89-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥22.56
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET NCH 60V 25A TO252
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V @ 250µA
8.8nC @ 10V
584pF @ 25V
-
2W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMNH6042SK3Q-13
表面贴装
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
TO-252-4L
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥22.65
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 31V 40V TO263 T
京电港自营
自营
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N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
4V @ 250µA
68.6nC @ 10V
4305pF @ 25V
±20V
-
4.7W（Ta）, 136W（Tc）
3 毫欧 @ 100A，10V
-55°C ~ 175°C（TJ）
DMTH4004SCTB-13
-
表面贴装
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥22.74
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V POWERDI5060-8
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.4V @ 250µA
585nC @ 10V
12826pF @ 10V
±12V
-
2.3W（Ta）
1.9 毫欧 @ 25A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
DMP2002UPS-13
-
表面贴装
8-PowerTDFN
PowerDI5060-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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