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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥0.90
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTC143ZCA-7-F
NPN - 预偏压
47k
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
100mA
4.7k
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥5.13
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4031SSD-13
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
-
表面贴装
1.42W
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
5.2A
31 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 13A POWERDI
京电港自营
自营
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DMT6010LFG-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
41.3nC @ 10V
2090pF @ 30V
±20V
-
2.2W（Ta），41W（Tc）
7.5 毫欧 @ 20A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 4A SOT23
京电港自营
自营
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DMG3418L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.5V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
464.3pF @ 15V
±12V
-
1.4W（Ta）
60 毫欧 @ 4A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥0.90
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V SOT23
京电港自营
自营
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DMN65D8LQ-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
±20V
-
370mW（Ta）
3 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 12V 3.8A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP1046UFDB-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
1.4W
-
2 个 P 沟道（双）
标准
12V
3.8A
61 毫欧 @ 3.6A，4.5V
1V @ 250µA
17.9nC @ 8V
915pF @ 6V
¥12.72
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 25V 2A SM8
京电港自营
自营
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ZDT749TA
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
25V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 1A，2V
2.75W
160MHz
-
¥2.25
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 50V 0.18A DFN1006-3
京电港自营
自营
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DMP58D0LFB-7
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，5V
2.1V @ 250µA
-
27pF @ 25V
±20V
-
470mW（Ta）
8 欧姆 @ 100mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥5.40
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6
京电港自营
自营
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ZXMP6A17E6QTA
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.7nC @ 10V
637pF @ 30V
±20V
-
1.1W（Ta）
125 毫欧 @ 2.3A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC113TE-7
NPN - 预偏压
-
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
1k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
自营
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DDTA114YKA-7-F
PNP - 预偏压
47k
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
10k
68 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥3.06
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 400V 0.225A SOT23-3
京电港自营
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FMMT458TA
NPN
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
225mA
400V
500mV @ 6mA，50mA
100nA
100 @ 50mA，10V
500mW
50MHz
表面贴装
-
¥15.33
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 6A POWERDI5
京电港自营
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DXT2011P5-13
NPN
PowerDI™ 5
PowerDI™ 5
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
6A
100V
220mV @ 500mA，5A
20nA（ICBO）
100 @ 2A，2V
3.2W
130MHz
表面贴装
-
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W SOT563
京电港自营
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DDA114TH-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
10k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
-
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥22.08
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 180V 0.5A E-LINE
京电港自营
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ZTX696B
NPN
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
散装
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
180V
250mV @ 5mA，200mA
100nA（ICBO）
150 @ 200mA，5V
1W
70MHz
通孔
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.2W SOT363
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DDA144EU-7
2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
47k
47k
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS PNP 25V 3A SOT-89
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FCX1149ATA
PNP
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
3A
25V
350mV @ 140mA，4A
100nA
250 @ 500mA，2V
2W
135MHz
表面贴装
-
¥8.13
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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DDTA115GUA-7
PNP - 预偏压
100k
SOT-323
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
-
82 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
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DMP2160UFDB-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
1.4W
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
3.8A
70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
536pF @ 10V
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 6.5A 8-SOIC
京电港自营
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DMP2066LSS-13
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
820pF @ 15V
±12V
-
2.5W（Ta）
40 毫欧 @ 5.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
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