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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
自营
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DCX122TU-7-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
220
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥1.26
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
自营
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DDTD123TC-7-F
NPN - 预偏压
-
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
500mA
2.2k
100 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
200MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
自营
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DDTC143XE-7
NPN - 预偏压
10k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
4.7k
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
¥2.85
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 250MW 3DFN
京电港自营
自营
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DDTC113TLP-7
NPN - 预偏压
-
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
100mA
1k
100 @ 1mA，5V
250mV @ 2.5mA，50mA
500nA（ICBO）
250MHz
250mW
-
¥1.86
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 40V 0.5A DFN1006-3
京电港自营
自营
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DSS2540M-7B
NPN
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
500mA
40V
250mV @ 50mA，500mA
100nA（ICBO）
150 @ 100mA，2V
250mW
300MHz
表面贴装
-
¥6.75
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 100V 1A SOT-223
京电港自营
自营
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FZT493TA
NPN
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1A
100V
600mV @ 100mA，1A
100nA
100 @ 250mA，10V
2W
150MHz
表面贴装
-
¥2.16
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 45V 0.1A DFN1006-3
京电港自营
自营
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BC847BLP-7B
NPN
3-DFN1006（1.0x0.6）
3-UFDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100mA
45V
600mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
250mW
100MHz
表面贴装
-
¥6.27
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 12V 3A SOT-89
京电港自营
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FCX688BTA
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
3A
12V
400mV @ 50mA，4A
100nA（ICBO）
500 @ 100mA，2V
2W
150MHz
表面贴装
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 60V 2A SM8
京电港自营
自营
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ZDT751TC
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
60V
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
2.75W
140MHz
-
¥13.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 0.47A SOT23
京电港自营
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DMN61D8L-7
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3V，5V
2V @ 1mA
0.74nC @ 5V
12.9pF @ 12V
±12V
-
390mW（Ta）
1.8 欧姆 @ 150mA，5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥17.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3
京电港自营
自营
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ZVN2110A
TO-92-3
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA）
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10V
2.4V @ 1mA
-
75pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
4 欧姆 @ 1A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
通孔
-
¥6.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 9A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP2021UFDF-7
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
59nC @ 8V
2760pF @ 15V
±8V
-
730mW（Ta）
16 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
京电港自营
自营
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DMN2215UDM-7
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
表面贴装
650mW
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
2A
100 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1V @ 250µA
-
188pF @ 10V
¥5.58
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 2.9A SOT23-3
京电港自营
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ZXMN3B14FTA
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，4.5V
700mV @ 250µA
6.7nC @ 4.5V
568pF @ 15V
±12V
-
1W（Ta）
80 毫欧 @ 3.1A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
-
表面贴装
-
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP2160UFDB-7
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
-
表面贴装
1.4W
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
3.8A
70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
536pF @ 10V
¥2.49
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
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DEMD48-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
47k，2.2k
47k
80 @ 5mA，5V / 100 @ 10mA，5V
150mV @ 500µA，10mA / 100mV @ 250µA，5mA
1µA
-
300mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
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DDTD142JU-7
NPN - 预偏压
10k
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mA
470
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
京电港自营
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DDTC144WE-7-F
NPN - 预偏压
22k
SOT-523
SOT-523
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
47k
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SC59-3
京电港自营
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DDTA123TKA-7-F
PNP - 预偏压
-
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥3.27
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单 TRANS NPN 160V 0.6A SOT89-3
京电港自营
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DXT5551-13
NPN
SOT-89-3
TO-243AA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
600mA
160V
200mV @ 5mA，50mA
50nA（ICBO）
80 @ 10mA，5V
1W
300MHz
表面贴装
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