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FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
安装类型
产品型号
晶体管类型
最大集电极电流
基底电阻器
发射极基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
频率
最大功率
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
DDTC123JLP-7
NPN - 预偏压
100mA
2.2k
47k
180 @ 50mA,5V
200mV @ 5mA,50mA
500nA
250MHz
250mW
3-DFN1006(1.0x0.6)
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTA143XKA-7-F
PNP - 预偏压
100mA
4.7k
10k
30 @ 10mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
5A
25V
220mV @ 50mA,4A
10nA
300 @ 1A,2V
2.75W
180MHz
ZDT1049TC
2 NPN(双)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
2N7002DWA-7
300mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
60V
180mA
6 欧姆 @ 115mA,10V
2.5V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
DDTA122LE-7
PNP - 预偏压
100mA
220
10k
56 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
200MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTC144EUA-7
NPN - 预偏压
100mA
47k
47k
68 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTA114GKA-7-F
PNP - 预偏压
100mA
-
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1.75A
60V
1.28V @ 2mA,1.75A
500nA
5000 @ 500mA,5V / 2000 @ 500mA,5V
2.75W
140MHz
ZDT6702TA
NPN,PNP 达林顿(双)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
ZXMD63P02XTC
1.04W
8-MSOP
8-TSSOP,8-MSOP(0.118",3.00mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 P 沟道(双)
逻辑电平门
20V
-
270 毫欧 @ 1.2A,4.5V
700mV @ 250µA(最小)
5.25nC @ 4.5V
290pF @ 15V
DDTA114EKA-7-F
PNP - 预偏压
100mA
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
200mW
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTC123JCA-7
NPN - 预偏压
100mA
2.2k
47k
80 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
ZDM4206NTA
2.75W
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
60V
1A
1 欧姆 @ 1.5A,10V
3V @ 1mA
-
100pF @ 25V
DDTC143EE-7
NPN - 预偏压
100mA
4.7k
4.7k
20 @ 10mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTC123TKA-7-F
NPN - 预偏压
100mA
2.2k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 500µA,5mA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
SC-59-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTA125TUA-7
PNP - 预偏压
100mA
200k
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 50µA,500µA
500nA(ICBO)
250MHz
200mW
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2A
25V
500mV @ 200mA,2A
100nA(ICBO)
100 @ 1A,2V
2.75W
160MHz
ZDT749TC
2 PNP(双)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTC122TE-7
NPN - 预偏压
100mA
220
-
100 @ 1mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA(ICBO)
200MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1.25A
12V
240mV @ 100mA,1.25A
10nA
200 @ 500mA,2V
885mW
220MHz
表面贴装
ZXTS1000E6TA
PNP 二极管(隔离式)
SOT-23-6
SOT-23-6
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
2V @ 250µA
18.85nC @ 10V
867pF @ 10V
±20V
-
990mW(Ta)
15 毫欧 @ 11.6A,10V
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
表面贴装
DMG4468LFG
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
DDTC114EE-7
NPN - 预偏压
100mA
10k
10k
30 @ 5mA,5V
300mV @ 500µA,10mA
500nA
250MHz
150mW
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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