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最大集电极电流
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
产品型号
系列
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge，Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
频率跃迁
基底电阻器
发射极基底电阻器
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 60V 2A SM8
京电港自营
自营
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2 NPN（双）
ZDT651TC
-
60V
2A
2.75W
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mV @ 200mA，2A
100nA（ICBO）
100 @ 500mA，2V
175MHz
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
京电港自营
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1.04W
ZXMD63N02XTC
-
表面贴装
8-MSOP
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
2.5A
130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
3V @ 250µA
6nC @ 4.5V
700pF @ 15V
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 PNP 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBA123JDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT323
京电港自营
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200MHz
200mW
100 @ 1mA，5V
100mA
PNP - 预偏压
DDTA142TU-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
470
-
300mV @ 250µA，5mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
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250MHz
200mW
68 @ 5mA，5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC144EKA-7-F
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
47k
47k
300mV @ 500µA，10mA
500nA
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 60V 0.1A SOT563
京电港自营
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2 PNP（双）
EMT1DXV6T1
-
60V
100mA
500mW
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
500mV @ 5mA，50mA
500nA（ICBO）
120 @ 1mA，6V
140MHz
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
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250MHz
200mW
100 @ 1mA，5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC114TCA-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10k
-
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 12V 2.5A SM8
京电港自营
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2 PNP（双）
ZDT717TA
-
12V
2.5A
2.5W
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
220mV @ 50mA，2.5A
100nA
300 @ 100mA，2V
110MHz
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
8 @ 5mA，10V
250mV @ 5mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC123EDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-射频 TRANS NPN RF BIPO 20V SOT-323
京电港自营
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150MHz
200mW
70 @ 1mA，10V
30mA
NPN
MSC3930-BT1
-
150°C（TJ）
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS PNP 200MW SOT23-3
京电港自营
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250MHz
200mW
100 @ 1mA，5V
100mA
PNP - 预偏压
DDTA113TCA-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1k
-
300mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT323
京电港自营
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250MHz
200mW
33 @ 10mA，5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC123YUA-7
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2.2k
10k
300mV @ 500µA，10mA
500nA
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SC59-3
京电港自营
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250MHz
200mW
82 @ 5mA，5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC115GKA-7-F
SC-59-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
100k
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
询价
RF TRANSISTOR NPN SOT-23
京电港自营
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10GHz
1.8dB @ 2GHz
9dB
200mW
50 @ 10mA，6V
35mA
NPN
NE68033-A
150°C（TJ）
表面贴装
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
散装
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-UGBT，MOSFET-单IGBT 365V 20A 165W D2PAK
京电港自营
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NGB8207NT4G
-
-
365V
20A
50A
2.6V @ 4V，20A
165W
-
逻辑
-
-
-55°C ~ 175°C（TJ）
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
60 @ 5mA，10V
250mV @ 300µA，10mA
500nA
-
250mW
-
MUN5212DW1T1
-
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 40V 0.2A SOT563
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2 NPN（双）
NST3904DXV6T5
-
40V
200mA
500mW
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
300mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
300MHz
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 150MW SOT523
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250MHz
150mW
56 @ 5mA，5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC124GE-7
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
22k
300mV @ 500µA，10mA
500nA（ICBO）
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 TRANS PREBIAS NPN 200MW SOT23-3
京电港自营
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250MHz
200mW
100 @ 1mA，5V
100mA
NPN - 预偏压
DDTC113TCA-7
SOT-23-3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1k
-
300mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.5W SOT563
京电港自营
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2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
80 @ 5mA，10V
250mV @ 1mA，10mA
500nA
-
500mW
-
NSBC143ZDXV6T1
-
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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