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不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
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供应商器件封装
封装/外壳
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铜类型
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光纤类型
SFP/XFP 端口
距离
MTU
连接器类型
侵入防护
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
最大功率
最大连续集电极电流
最大栅极发射极电压
晶体管数
最大功率耗散
封装类型
通道类型
引脚数目
开关速度
晶体管配置
长度
宽度
高度
每片芯片元件数目
典型输入电阻器
最小直流电流增益
典型电阻比
最高工作温度
最低工作温度
尺寸
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2NPN 15V 4.5A 8MLP
京电港自营
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ZXTDAM832TA
2 NPN（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
4.5A
15V
280mV @ 50mA，4.5A
25nA
200 @ 3A，2V
1.7W
120MHz
-
¥1.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 170MA SC70-3
京电港自营
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BSS123W-7-F
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 1mA
-
60pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
6 欧姆 @ 170mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 18A PWRDI3333-8
京电港自营
自营
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DMP2007UFG-7
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5V，10V
1.3V @ 250µA
85nC @ 10V
4621pF @ 10V
±12V
-
2.3W（Ta）
5.5 毫欧 @ 15A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥0.99
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 0.15W VMT3
京电港自营
自营
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DTC013ZMT2L
NPN - 预偏压
50V
30 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
VMT3
SOT-723
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 6A DPAK
京电港自营
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DMN6068LK3-13
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
±20V
-
2.12W（Ta）
68 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 9.8A POWERDI3333
京电港自营
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DMG7401SFGQ-13
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，20V
3V @ 250µA
58nC @ 10V
2987pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
11 毫欧 @ 12A，20V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥1.50
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 20V 0.2W UMT3F
京电港自营
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DTC943TUBTL
NPN - 预偏压
20V
820 @ 10mA，5V
100mV @ 3mA，30mA
500nA（ICBO）
35MHz
200mW
UMT3F
SC-85
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK
京电港自营
自营
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ZXMN10A25K
TO-252-3
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6V，10V
4V @ 250µA
17.16nC @ 10V
859pF @ 50V
±20V
-
2.11W（Ta）
125 毫欧 @ 2.9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
-
-
¥5.85
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH X1-WLB1818-4
京电港自营
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DMN2023UCB4-7
X1-WLB1818-4
4-XFBGA，WLBGA
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
表面贴装
-
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
-
-
-
-
29nC @ 4.5V
-
1.45W
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 100V 450MA TO92-3
京电港自营
自营
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ZVN4210ASTZ
E-Line（TO-92 兼容）
E-Line-3
带盒（TB）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2.4V @ 1mA
-
100pF @ 25V
±20V
-
700mW（Ta）
1.5 欧姆 @ 1.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
通孔
-
-
¥2.19
ROHM Semiconductor 晶体管 双极 阵列 预偏置 TRANS 2PNP PREBIAS 0.15W EMT6
京电港自营
自营
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EMB11T2R
2 个 PNP 预偏压式（双）
20 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
EMT6
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
¥3878.89
B B 媒体转换器 SmartWorx IMCV-FIBERLINX-II, TX/SSFX-SM155
京电港自营
自营
收藏 暂时缺货
856-14044
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
模块化 - 卡
1
10/100
1
100BASE-FX（单模）
-
20km
1916
RJ45，SC
-
受控
SNMP 可管理
0°C ~ 50°C
机架安装
FiberLinX-II
-
¥113.85
Aries 用于IC的插座，晶体管 CONN SOCKET SIP 20POS GOLD
京电港自营
自营
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20-0518-00
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3 周
SIP
20（1 x 20）
0.100"（2.54mm）
金
10µin（0.25µm）
铜铍
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
黄铜
聚酰胺（PA46），尼龙 4/6，玻璃纤维增强型
表面贴装
518
-
¥151.32
IXYS IXYH30N120C3 N沟道 IGBT, 75 A, Vce=1200 V, 50kHz, 3引脚 TO-247封装
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IXYH30N120C3
通孔
-
75 A
±20V
-
500 W
TO-247
N
3
50kHz
单
16.26mm
5.3mm
21.46mm
¥45.48
STMicroelectronics STGB10H60DF N沟道 IGBT, 20 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB10H60DF
表面贴装
-
20 A
±20V
-
115 W
D2PAK (TO-263)
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
¥26.73
Infineon IRG4BC20KDSTRLP N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRG4BC20KDSTRLP
表面贴装
-
16 A
±20V
-
60 W
D2PAK (TO-263)
N
3
-
单
10.67mm
11.3mm
4.83mm
¥1.50
Infineon BCR 35PN 双 NPN PNP 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 10 kΩ, 电阻比:0.21, 6引脚 SOT-363 (SC-88)封装
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新品 自营
收藏 暂时缺货
BCR 35PN
NPN PNP
表面贴装
-
100 mA
250 mW
SOT-363 (SC-88)
6
隔离式
2mm
1.25mm
0.8mm
2
10 kΩ
70
0.21
150 °C
2 x 1.25 x 0.8mm
询价
TRANS NPN 1GHZ SOT-23
京电港自营
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7GHz
1.4dB ~ 2dB @ 1GHz
9dB
50 @ 20mA，10V
100mA
NE85633-T1B
NPN
SOT-23
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
150°C（TJ）
表面贴装
-
200mW
¥0.30
新产品Nexperia PDTC144EU,115 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 47 kΩ, 电阻比:1, 3引脚 UMT封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
PDTC144EU,115
NPN
表面贴装
-
100 mA
UMT
3
单
2.2mm
1.35mm
1mm
1
47 kΩ
80
1
150 °C
-65 °C
2.2 x 1.35 x 1mm
¥2.55
NXP PUMH13 双 NPN 数字晶体管, 100 mA, Vce=50 V, 4.7 kΩ, 电阻比:0.1, 6引脚 UMT封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
PUMH13
NPN
表面贴装
-
100 mA
UMT
6
隔离式
2.2mm
1.35mm
1mm
2
4.7 kΩ
100
0.1
150 °C
-65 °C
2.2 x 1.35 x 1mm

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