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电流 - 输出/通道
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电流 - DC 正向（If）
Vce 饱和值（最大值）
工作温度
安装类型
封装/外壳
供应商器件封装
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
制造商
系列
类型
针脚或引脚数
间距配接
触头表面处理配接
触头表面处理厚度配接
触头材料配接
特性
端接
间距柱
触头表面处理柱
触头表面处理厚度柱
触头材料柱
外壳材料
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
配置
最大功率
晶体管数
最大功率耗散
产品认证
最大连续集电极电流
最大发射极基极电压
封装类型
引脚数目
晶体管配置
宽度
长度
最低工作温度
尺寸
高度
最高工作温度
预计寿命
RoHS达标情况
最大集电极发射极电压
最大栅极发射极电压
通道类型
开关速度
¥1263.44
Infineon FS100R17PE4 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=1700 V, 20引脚 ECONO4封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FS100R17PE4
PCB（印刷电路板）安装
-
-
-
3 相
600 W
-
100 A
ECONO4
20
3 相
70.6 mm
130 mm
-40 °C
130 x 70.6 x 17 mm
17mm
150 °C
-
1700 V
±20V
N
1MHz
¥11.97
Texas Instruments DS2003CM/NOPB NPN 达林顿晶体管对, 500 mA, Vce=50 V, 16引脚 SOIC封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
DS2003CM/NOPB
表面贴装
-
0.5 A
7
SOIC
16
共发射极
6.35 mm
19.81 mm
-40 °C
19.81 x 6.35 x 3.302 mm
3.302 mm
85 °C
-
-
¥1012.89
Fuji Electric 7MBR100VB-060-50 IGBT 模块, 3 相桥接, 100 A, Vce=600 V, 24引脚 M712封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
7MBR100VB-060-50
通孔
-
-
-
3 相桥接
335W
-
100 A
M712
24
3 相
62 mm
122 mm
122 x 62 x 17 mm
17mm
150 °C
-
600 V
±20V
N
¥2605.38
Infineon FF450R12KT4 IGBT 模块, 串行, 580 A, Vce=1200 V, 3引脚 62MM 模块封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FF450R12KT4
面板安装
-
-
-
串行
2.4 kW
-
580 A
62MM 模块
3
串行
61.4 mm
106.4 mm
-40 °C
106.4 x 61.4 x 30.9 mm
30.9mm
150 °C
-
1200 V
±20V
N
¥115.89
Fairchild Semiconductor FGA50N100BNTD2 N沟道 IGBT, 50 A, Vce=1000 V, 1MHz, 3引脚 TO-3P封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
FGA50N100BNTD2
通孔
-
-
156 W
50 A
TO-3P
3
单
5mm
15.8mm
20.1mm
±25V
N
1MHz
¥53.52
Infineon IRG4BC20KDPBF N沟道 IGBT, 16 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-220AB封装
京电港自营
新品 自营
收藏 暂时缺货
IRG4BC20KDPBF
通孔
-
-
-
16 A
TO-220AB
3
单
4.69mm
10.54mm
8.77mm
±20V
N
-
¥22.98
OPTOISO 2.5KV 4CH TRANS 16SOIC
京电港自营
自营
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PS2805C-4-F3-M-A
4
2500Vrms
100% @ 5mA
400% @ 5mA
10µs，7µs
5µs，7µs
AC，DC
晶体管
80V
30mA
1.2V
30mA
300mV
-55°C ~ 100°C
表面贴装
16-SOIC（0.173"，4.40mm 宽）
16-SSOP
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥0.75
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTC144EKAT146
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SMT3
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥8.52
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
京电港自营
自营
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DTC114YETL
SC-75，SOT-416
EMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
68 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
¥2.40
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTD113EKT146
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SMT3
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
33 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
-
¥63.60
Mill-Max 用于IC的插座，晶体管 CONN IC DIP SOCKET 20POS GOLD
京电港自营
自营
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111-43-320-41-001000
-55°C ~ 125°C
通孔
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
111
DIP，0.3"（7.62mm）行间距
20（2 x 10）
0.100"（2.54mm）
金
30µin（0.76µm）
铜铍
开放框架
焊接
0.100"（2.54mm）
锡
200µin（5.08µm）
铜合金
聚对苯二甲酸二甲基环己酯（PCT），聚酯
¥0.75
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 200MW UMT3
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自营
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DTA144TUAT106
SC-70，SOT-323
UMT3
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP - 预偏压
50V
100 @ 1mA，5V
300mV @ 500µA，5mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
-
¥0.84
PNP -100MA -50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置IST
京电港自营
自营
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DTA143ZCAT116
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
SST3
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
PNP - 预偏压
50V
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
京电港自营
自营
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NTLJF4156NT1G
表面贴装
6-WDFN 裸露焊盘
6-WDFN（2x2）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW（Ta）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
¥5.97
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 50V 0.2W UMT3F
京电港自营
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DTC014YUBTL
SC-85
UMT3F
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
80 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
-
250MHz
200mW
-
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
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自营
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DTC123YUAT106
SC-70，SOT-323
UMT3
剪切带（CT）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
33 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
-
¥11.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 14.9A DPAK
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自营
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NVD5863NLT4G-VF01
表面贴装
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
DPAK
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
14.9A（Ta），82A（Tc）
4.5V，10V
3V @ 250µA
70nC @ 10V
3850pF @ 25V
3.1W（Ta），96W（Tc）
7.1 毫欧 @ 41A，10V
¥1.29
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 150MW EMT3
京电港自营
自营
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DTC124EETL
SC-75，SOT-416
EMT3
定制卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
56 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
-
¥1.56
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 150MW VMT3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DTC115EMT2L
SOT-723
VMT3
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN - 预偏压
50V
82 @ 5mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
-
¥3.30
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.5A SCH6
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SCH1433-TL-H
表面贴装
SOT-563，SOT-666
6-SCH
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.5A（Ta）
1.8V，4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW（Ta）
64 毫欧 @ 1.5A，4.5V

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