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外设
I/O 数
程序存储容量
程序存储器类型
EEPROM 容量
RAM 容量
数据转换器
振荡器类型
工作温度
封装类型
原产地
达标情况
原厂标准交货期
W78L032A24PL
W78
80C32
8-位
24MHz
EBI/EMI,串行端口
-
32
-
ROMless
-
256 x 8
-
内部
0°C ~ 70°C(TA)
44-LCC(J 形引线)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78E054DLG
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
36
16KB(16K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
48-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79E824ASG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
8KB(8K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79E824ARG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
8KB(8K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78E051DFG
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
36
4KB(4K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
44-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
W78E051DPG
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
36
4KB(4K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
44-LCC(J 形引线)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
W78L801A24LL
W78
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI
LED,WDT
36
4KB(4K x 8)
掩模 ROM
-
256 x 8
-
内部
0°C ~ 70°C(TA)
48-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
MINI54LDE
NuMicro Mini51™ DE
ARM® Cortex®-M0
32-位
24MHz
SPI,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
29
16KB(16K x 8)
闪存
-
2K x 8
A/D 8x10b
内部
-40°C ~ 105°C(TA)
48-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
N79E823ADG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
4KB(4K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-DIP(0.300",7.62mm)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W79E4051RASG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
N79E352ALG
N79
8051
8-位
24MHz
EBI/EMI,I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LVD,POR,PWM,WDT
38
8KB(8K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
48-LQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N79E823ASG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
4KB(4K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W79E8213ASG
W79
8051
8-位
20MHz
-
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
128 x 8
A/D 8x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78E052DFG
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
36
8KB(8K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
44-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78E052DPG
W78
8052
8-位
40MHz
EBI/EMI,UART/USART
POR,WDT
36
8KB(8K x 8)
闪存
-
256 x 8
-
外部
-40°C ~ 85°C(TA)
44-LCC(J 形引线)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W78C032C40PL
W78
8051
8-位
40MHz
EBI/EMI,串行端口
-
32
-
ROMless
-
256 x 8
-
内部
0°C ~ 70°C(TA)
44-LCC(J 形引线)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥25.80
自营
W78C032C40FL
W78
8051
8-位
40MHz
EBI/EMI,串行端口
-
32
-
ROMless
-
256 x 8
-
内部
0°C ~ 70°C(TA)
44-BQFP
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N79E823ARG
N79
8051
8-位
20MHz
I²C,UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
18
4KB(4K x 8)
闪存
256 x 8
256 x 8
A/D 4x10b
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W79E4051RARG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SSOP(0.209",5.30mm 宽)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
W79E4051ASG
W79
8051
8-位
24MHz
UART/USART
欠压检测/复位,LED,LVD,POR,PWM,WDT
17
4KB(4K x 8)
闪存
128 x 8
256 x 8
-
内部
-40°C ~ 85°C(TA)
20-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
-
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