|
|
W79E4051ARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
MINI52LDE |
NuMicro Mini51™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
29 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
N79E822ADG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-DIP（0.300"，7.62mm） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W78E051DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
N79E822ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N79E822ARG |
N79 |
8051 |
8-位 |
20MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
256 x 8 |
256 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W79E2051RASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W79E2051RARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
N79E8432ASG |
N79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
I²C，UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
13 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
512 x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
MINI51LDE |
NuMicro M051™ DE |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
29 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
W78E052DLG |
W78 |
8052 |
8-位 |
40MHz |
EBI/EMI，UART/USART |
POR，WDT |
36 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
W79E2051ARG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SSOP（0.209"，5.30mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
W79E2051ASG |
W79 |
8051 |
8-位 |
24MHz |
UART/USART |
欠压检测/复位，LED，LVD，POR，PWM，WDT |
17 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
128 x 8 |
256 x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
M058ZBN |
NuMicro M051™ BN |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，LIN，SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，POR，PWM，WDT |
24 |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NUC122LD2AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
30 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC120LE3AN |
NuMicro™ NUC120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
31 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NUC120RE3DN |
NuMicro™ NUC120 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
47 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC100LD2BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
35 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NUC100LE3DN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
37 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
NUC123LD4AN0 |
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C，IrDA，SPI，UART/USART，USB |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
36 |
68KB（68K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
