|
|
M30624FGPGP#U3C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F563NBCDFB#V0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，LIN，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
32K x 8 |
128K x 8 |
A/D 8x10b，21x12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
144-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F104AAASP#X0 |
RL78/G14 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
21 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
2.5K x 8 |
A/D 8x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
30-LSSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F100FFDFP#X0 |
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
31 |
96KB（96K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 10x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
44-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F1017AANA#U0 |
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
15 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 6x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
24-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF61654W50FTV |
H8® H8SX/1600 |
H8SX |
32-位 |
50MHz |
I²C，IrDA，SCI，智能卡，USB |
DMA，PWM，WDT |
75 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
40K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
外部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
120-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F21322DNSP#W4 |
R8C/3x/32D |
R8C |
16-位 |
20MHz |
I²C，LIN，SIO，SSU，UART/USART |
POR，PWM，电压检测，WDT |
15 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F100AFASP#V0 |
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
21 |
96KB（96K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
30-LSSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F5210BBDFP#30 |
RX200 |
RX |
32-位 |
50MHz |
EBI/EMI，I²C，SCI，SPI |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
84 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
96K x 8 |
A/D 16x12b；D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F10366ASP#X0 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F10369DSP#V0 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
18 |
12KB（12K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30260F6AGP#U5A |
M16C™ M16C/微型/26A |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，SIO，UART/USART |
DMA，PWM，电压检测，WDT |
39 |
48KB（48K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 12x10b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2328VTE25V |
H8® H8S/2300 |
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，POR，PWM，WDT |
86 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
120-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F21321DDSP#W4 |
R8C/3x/32D |
R8C |
16-位 |
20MHz |
I²C，LIN，SIO，SSU，UART/USART |
POR，PWM，电压检测，WDT |
15 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F1026AGSP#V5 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
1.5K x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F111PFAFB#30 |
RL78/L1C |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
73 |
96KB（96K x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
10K x 8 |
A/D 13x8/12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30879FLGP#U3 |
M16C™ M32C/80/87 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
85 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F10266DSP#V0 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
256 x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F562N8BDBG#U0 |
RX600 |
RX |
32-位 |
100MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
126 |
512KB（512K x 8） |
闪存 |
- |
96K x 8 |
A/D 8x10/12b，D/A 2x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
176-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
HD64F7047F50V |
SuperH® SH7047 |
SH-2 |
32-位 |
50MHz |
CAN，SCI |
POR，PWM，WDT |
53 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 16x10b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
