|
|
HD64F3687FPV |
H8® H8/300H 微型 |
H8/300H |
16-位 |
20MHz |
I²C，SCI |
PWM，WDT |
45 |
56KB（56K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5S76700B200BG |
SuperH® SH 以太网型 |
SH-2A |
32-位 |
200MHz |
EBI/EMI，以太网，I²C，主机接口，FIFO，SCI，SD，串行声音，流，USB |
DMA，POR，PWM，WDT |
86 |
- |
ROMless |
- |
32K x 8 |
- |
内部 |
-20°C ~ 70°C（TA） |
256-FBGA |
- |
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F100GADFB#X0 |
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
34 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 10x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F10WLGAFB#50 |
RL78/L13 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
42 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
8K x 8 |
A/D 9x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F211A4DSP#U0 |
R8C/1x/1A |
R8C |
16-位 |
20MHz |
I²C，SIO，SSU，UART/USART |
LED，POR，电压检测，WDT |
13 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R7FS7G27H2A01CLK#AC0 |
Synergy S7 |
ARM® Cortex®-M4 |
32-位 |
240MHz |
CAN，EBI/EMI，以太网，I²C，IrDA，MMC/SD，QSPI，SCI，SPI，SSI，UART/USART，USB |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
104 |
4MB（4M x 8） |
闪存 |
64K x 8 |
640K x 8 |
A/D 19x12b，D/A 2x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
145-TFLGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
R5F103A8ASP#V0 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
26 |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
768 x 8 |
A/D 8x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
30-LSSOP（0.240"，6.10mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30626FHPGP#U3C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
85 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF3048BF25V |
H8® H8/300H |
H8/300H |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，PWM，WDT |
70 |
128KB（128K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
100-BFQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
R5F212J0SNSP#W4 |
R8C/2x/2J |
R8C |
16-位 |
8MHz |
LIN，SIO，UART/USART |
POR，PWM，电压检测，WDT |
12 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
- |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F10WMEAFB#50 |
RL78/L13 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
58 |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 12x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
80-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30260F6AGP#U5A |
M16C™ M16C/微型/26A |
M16C/60 |
16-位 |
20MHz |
I²C，IEBus，SIO，UART/USART |
DMA，PWM，电压检测，WDT |
39 |
48KB（48K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 12x10b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
DF2328VTE25V |
H8® H8S/2300 |
H8S/2000 |
16-位 |
25MHz |
SCI，智能卡 |
DMA，POR，PWM，WDT |
86 |
256KB（256K x 8） |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 75°C（TA） |
120-TQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F21321DDSP#W4 |
R8C/3x/32D |
R8C |
16-位 |
20MHz |
I²C，LIN，SIO，SSU，UART/USART |
POR，PWM，电压检测，WDT |
15 |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F1026AGSP#V5 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
18 |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
1.5K x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F111PFAFB#30 |
RL78/L1C |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
73 |
96KB（96K x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
10K x 8 |
A/D 13x8/12b，D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30879FLGP#U3 |
M16C™ M32C/80/87 |
M32C/80 |
16/32-位 |
32MHz |
CAN，EBI/EMI，I²C，IEBus，IrDA，SIO，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
85 |
1MB（1M x 8） |
闪存 |
- |
48K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
100-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F10266DSP#V0 |
RL78/G12 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，UART/USART |
DMA，POR，PWM，WDT |
18 |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
2K x 8 |
256 x 8 |
A/D 11x8/10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
M30627FHPGP#U9C |
M16C™ M16C/60/62P |
M16C/60 |
16-位 |
24MHz |
I²C，IEBus，UART/USART |
DMA，WDT |
111 |
384KB（384K x 8） |
闪存 |
- |
31K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-20°C ~ 85°C（TA） |
128-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
R5F3651TDFC#U0 |
M16C™ M16C/60/65 |
M16C/60 |
16-位 |
32MHz |
EBI/EMI，I²C，SIO，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
111 |
768KB（768K x 8） |
闪存 |
- |
47K x 8 |
A/D 26x10b；D/A 2x8b |
内部 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
128-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
