|
|
|
|
|
|
XE216-512-TQ128-C20 |
XE |
XCore |
32 位 16 核 |
2000MIPS |
RGMII,USB |
- |
67 |
- |
ROMless |
- |
512K x 8 |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
128-TQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XE216-512-FB236-C20 |
XE |
XCore |
32 位 16 核 |
2000MIPS |
RGMII,USB |
- |
73 |
- |
ROMless |
- |
512K x 8 |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
236-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XEF216-512-TQ128-C20 |
XEF |
XCore |
32 位 16 核 |
2000MIPS |
RGMII,USB |
- |
67 |
2MB(2M x 8) |
闪存 |
- |
512K x 8 |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
128-TQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-L02A-QF124-C5-THS |
XS1 |
XCore |
32 位双核 |
500MIPS |
可配置 |
- |
84 |
128KB(32K x 32) |
SRAM |
- |
- |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
124-TFQFN 双排裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-A16A-128-FB217-C10 |
XS1 |
XCore |
32 位 16 核 |
1000MIPS |
可配置 |
- |
90 |
128KB(32K x 32) |
SRAM |
- |
- |
A/D 8x12b |
内部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
217-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-U16A-128-FB217-C10 |
XS1 |
XCore |
32 位 16 核 |
1000MIPS |
可配置 |
- |
73 |
128KB(32K x 32) |
SRAM |
- |
- |
A/D 8x12b |
内部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
217-LFBGA |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-L6A-64-TQ48-C4 |
XS1 |
XCore |
32 位 6 核 |
400MIPS |
可配置 |
- |
28 |
64KB(16K x 32) |
SRAM |
- |
- |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
48-TQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-L6A-64-LQ64-C4 |
XS1 |
XCore |
32 位 6 核 |
400MIPS |
可配置 |
- |
36 |
64KB(16K x 32) |
SRAM |
- |
- |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
64-LQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-L8A-64-TQ48-C4 |
XS1 |
XCore |
32 位 8 核 |
400MIPS |
可配置 |
- |
28 |
64KB(16K x 32) |
SRAM |
- |
- |
- |
外部 |
0°C ~ 70°C(TA) |
48-TQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-L6A-64-TQ48-I5 |
XS1 |
XCore |
32 位 6 核 |
500MIPS |
可配置 |
- |
28 |
64KB(16K x 32) |
SRAM |
- |
- |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-TQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
|
|
|
|
XS1-L6A-64-LQ64-I4 |
XS1 |
XCore |
32 位 6 核 |
400MIPS |
可配置 |
- |
36 |
64KB(16K x 32) |
SRAM |
- |
- |
- |
外部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
64-LQFP 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
- |
256KB |
Artix™-7 FPGA,55K 逻辑单元 |
484-LFBGA,CSPBGA |
485-CSBGA(19x19) |
XC7Z012S-2CLG485I |
|
单 ARM® Cortex®-A9 MPCore™,带 CoreSight™ |
|
766MHz |
CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,MMC/SD/SDIO,SPI,UART/USART,USB OTG |
DMA |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 100°C(TJ) |
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
NUC100LC1BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
35 |
32KB(32K x 8) |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
|
|
|
NUC122ZD2AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB |
断电检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,WDT |
18 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
- |
256KB |
Artix™-7 FPGA,85K 逻辑单元 |
484-LFBGA,CSPBGA |
484-CSPBGA(19x19) |
XC7Z020-1CLG484I |
|
双 ARM® Cortex®-A9 MPCore™,带 CoreSight™ |
|
667MHz |
CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,MMC/SD/SDIO,SPI,UART/USART,USB OTG |
DMA |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 100°C(TJ) |
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
|
|
|
|
NUC122SD2AN |
NuMicro™ NUC122 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
60MHz |
I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
41 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
- |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
64-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
|
|
|
NUC123LD4AN0 |
NuMicro™ NUC123 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
72MHz |
I²C,IrDA,SPI,UART/USART,USB |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
36 |
68KB(68K x 8) |
闪存 |
- |
20K x 8 |
A/D 8x10b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
- |
256KB |
Artix™-7 FPGA,85K 逻辑单元 |
400-LFBGA,CSPBGA |
400-CSPBGA(17x17) |
XC7Z020-2CLG400I |
|
双 ARM® Cortex®-A9 MPCore™,带 CoreSight™ |
|
766MHz |
CAN,EBI/EMI,以太网,I²C,MMC/SD/SDIO,SPI,UART/USART,USB OTG |
DMA |
|
|
|
|
|
|
|
-40°C ~ 100°C(TJ) |
|
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
|
|
|
|
NUC100LE3DN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
37 |
128KB(128K x 8) |
闪存 |
- |
16K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
|
|
|
|
NUC100LD2BN |
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI,UART/USART |
欠压检测/复位,DMA,I²S,LVD,POR,PS2,PWM,WDT |
35 |
64KB(64K x 8) |
闪存 |
- |
8K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
-40°C ~ 85°C(TA) |
48-LQFP |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|