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XC2C64A-7CP56C |
系统内可编程 |
45 |
0°C ~ 70°C（TA） |
56-LFBGA，CSPBGA |
56-CSBGA（6x6） |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
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XCR3032XL-10CS48I |
系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环） |
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-FBGA，CSPBGA |
48-CSBGA（7x7） |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
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XCR3032XL-10CSG48I |
系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环） |
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
48-FBGA，CSPBGA |
48-CSBGA（7x7） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
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XCR3032XL-7CS48C |
系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环） |
36 |
0°C ~ 70°C（TA） |
48-FBGA，CSPBGA |
48-CSBGA（7x7） |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
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XCR3032XL-7CSG48C |
系统内可编程（最少 1K 次编程/擦除循环） |
36 |
0°C ~ 70°C（TA） |
48-FBGA，CSPBGA |
48-CSBGA（7x7） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 12x8/10b |
内部 |
64-LQFP |
|
- |
R5F100LEAFB#V0 |
|
48 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
NuMicro™ NUC100 |
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
50MHz |
SPI，UART/USART |
欠压检测/复位，DMA，I²S，LVD，POR，PS2，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
NUC100LC1BN |
|
35 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 6x8/10b |
内部 |
25-WFLGA |
|
- |
R5F1008CALA#U0 |
|
15 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x8/10b |
内部 |
32-WFQFN 裸露焊盘 |
|
- |
R5F100BCANA#U0 |
|
22 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
16KB（16K x 8） |
闪存 |
- |
2K x 8 |
A/D 8x8/10b |
内部 |
36-WFLGA |
|
- |
R5F100CAALA#U0 |
|
26 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
RL78/G13 |
RL78 |
16-位 |
32MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
48KB（48K x 8） |
闪存 |
- |
3K x 8 |
A/D 6x8/10b |
内部 |
24-WFQFN 裸露焊盘 |
|
- |
R5F1007DANA#U0 |
|
15 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
RL78/L13 |
RL78 |
16-位 |
24MHz |
CSI，I²C，LIN，UART/USART |
DMA，LCD，LVD，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
4K x 8 |
4K x 8 |
A/D 9x10b |
内部 |
64-LQFP |
|
- |
R5F10WLEAFB#30 |
|
42 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
|
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
40MHz |
CSIO，I²C，LIN，智能卡，UART/USART |
I²S，LVD，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
- |
12K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
48-LQFP |
托盘 |
|
S6E1C11C0AGV20000 |
|
38 |
-40°C ~ 105°C（TA） |
|
48-LQFP（7x7） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
XC9572XL-10VQ64C |
系统内可编程（最少 10，000 次编程/擦除循环） |
52 |
0°C ~ 70°C（TA） |
64-TQFP |
64-VQFP（10x10） |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
RX100 |
RX |
32-位 |
32MHz |
I²C，SCI，SPI，USB |
DMA，LVD，POR，PWM，WDT |
64KB（64K x 8） |
闪存 |
8K x 8 |
10K x 8 |
A/D 10x12b |
内部 |
48-LQFP |
|
- |
R5F51113ADFL#3A |
|
30 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
|
M8C |
8-位 |
24MHz |
I²C，SPI，UART/USART |
LVD，POR，PWM，WDT |
2KB（2K x 8） |
闪存 |
- |
256 x 8 |
A/D 2x14b；D/A 1x9b |
内部 |
20-SOIC（0.295"，7.50mm 宽） |
管件 |
|
CY8C22213-24SI |
|
16 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
20-SOIC |
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
|
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
32-UFQFN 裸露焊盘 |
托盘 |
|
CY8C20424-12LQXI |
|
28 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
32-QFN（5x5） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
|
M8C |
8-位 |
12MHz |
I²C，SPI |
LVD，POR，WDT |
8KB（8K x 8） |
闪存 |
- |
512 x 8 |
- |
内部 |
24-UFQFN 裸露焊盘 |
托盘 |
|
CY8C20334-12LQXI |
|
20 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
24-QFN-EP（4x4） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
|
R8C/3x/32D |
R8C |
16-位 |
20MHz |
I²C，LIN，SIO，SSU，UART/USART |
POR，PWM，电压检测，WDT |
4KB（4K x 8） |
闪存 |
- |
1K x 8 |
A/D 4x10b |
内部 |
20-LSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
|
- |
R5F21321DDSP#U0 |
|
15 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
|
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
24 周 |
|
|
|
ARM® Cortex®-M0 |
32-位 |
24MHz |
I²C，IrDA，LIN，Microwire，智能卡，SPI，SSP，UART/USART |
欠压检测/复位，LVD，POR，PWM，WDT |
32KB（32K x 8） |
闪存 |
- |
4K x 8 |
A/D 8x12b |
内部 |
48-LQFP |
托盘 |
|
CY8C4125AZI-473 |
|
36 |
-40°C ~ 85°C（TA） |
|
48-TQFP（7x7） |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
