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¥16.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
京电港自营
自营
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DMG4822SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
10A
20 毫欧 @ 8.5A，10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
478.9pF @ 16V
1.42W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 60V/50V SC70-6
京电港自营
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BSS8402DW-7
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
60V，50V
115mA，130mA
7.5 欧姆 @ 50mA，5V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
200mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥7.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.2A 6UDFN
京电港自营
自营
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DMP2060UFDB-7
-
2 个 P 沟道（双）
标准
20V
3.2A
90 毫欧 @ 2.9A，4.5V
1.4V @ 250µA
18nC @ 8V
881pF @ 10V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 5.4A TSSOP-8
京电港自营
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DMN2019UTS-13
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
5.4A
18.5 毫欧 @ 7A，10V
950mV @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
143pF @ 10V
780mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥19.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
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DMN4026SSDQ-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 12V POWERDI5060
京电港自营
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DMC1018UPD-13
N 和 P 沟道
标准
12V，20V
9.5A，6.9A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
30.4nC @ 8V
1525pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.35A
京电港自营
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DMN61D9UDW-7
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
350mA
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
0.4nC @ 4.5V
28.5pF @ 30V
320mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥12.39
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V U-DFN2030-6
京电港自营
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DMP2100UFU-7
-
2 个 P 沟道（双）
标准
20V
5.7A
38 毫欧 @ 3.5A，10V
1.4V @ 250µA
21.4nC @ 10V
906pF @ 10V
900mW
表面贴装
U-DFN2030-6（B 类）
6-UFDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 7.3A 8VDFN
京电港自营
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DMN3016LDN-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
7.3A
20 毫欧 @ 11A，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.1W
表面贴装
V-DFN3030-8（J 类）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 4.3A 8SOIC
京电港自营
自营
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ZXMN6A09DN8TC
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
4.3A
40 毫欧 @ 8.2A，10V
3V @ 250µA
24.2nC @ 5V
1407pF @ 40V
1.25W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
京电港自营
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ZXMHC3A01N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
2.17A，1.64A
125 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 3.8A 6UDFN
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DMP2160UFDB-7
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
3.8A
70 毫欧 @ 2.8A，4.5V
900mV @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
536pF @ 10V
1.4W
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.22
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 9.5A 8SO
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DMG4932LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
9.5A
15 毫欧 @ 9A，10V
2.4V @ 250µA
42nC @ 10V
1932pF @ 15V
1.19W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 50V 0.16A SOT563
京电港自营
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DMP57D5UV-7
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
50V
160mA
6 欧姆 @ 100mA，4V
1V @ 250µA
-
29pF @ 25V
400mW
表面贴装
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2NCH 60V 7.1A 8SO
京电港自营
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DMNH6022SSDQ-13
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
7.1A，22.6A
27 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
32nC @ 30V
2127pF @ 25V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 50V 305MA SOT26
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DMN5L06DMKQ-7
-
2 个 N 沟道（双）
标准
50V
305mA
2 欧姆 @ 50mA，5V
1V @ 250µA
-
50pF @ 25V
400mW
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2.5A 8MSOP
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ZXMD63N02XTC
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
2.5A
130 毫欧 @ 1.7A，4.5V
3V @ 250µA
6nC @ 4.5V
700pF @ 15V
1.04W
表面贴装
8-MSOP
8-TSSOP，8-MSOP（0.118"，3.00mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
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ZXMN3AMCTA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
2.9A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
1.7W
表面贴装
8-DFN（3x2）
8-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.8A POWERDI
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DMN2028UFDH-7
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
6.8A
20 毫欧 @ 4A，10V
1V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
151pF @ 10V
1.1W
表面贴装
PowerDI3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥26.37
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
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ZXMHC3F381N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
3.98A，3.36A
33 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9nC @ 10V
430pF @ 15V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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