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¥18.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
京电港自营
自营
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ZXMP3A17DN8TA
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
3.4A
70 毫欧 @ 3.2A，10V
1V @ 250µA（最小）
15.8nC @ 10V
630pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
京电港自营
自营
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ZXMC4A16DN8TC
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
4A，3.6A
50 毫欧 @ 4.5A，10V
1V @ 250mA（最小）
17nC @ 10V
770pF @ 40V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.46
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 8A V-DFN3030-8
京电港自营
自营
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DMT3011LDT-7
-
2 N 沟道（双）非对称型
标准
30V
8A，10.7A
20 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 10V
641pF @ 15V
1.9W
表面贴装
V-DFN3030-8（K 类）
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.75
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 5.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMN2029USD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
5.8A
25 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.5V @ 250µA
18.6nC @ 8V
1171pF @ 10V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥24.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
京电港自营
自营
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ZXMC10A816N8TC
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
100V
2A
230 毫欧 @ 1A，10V
2.4V @ 250µA
9.2nC @ 10V
497pF @ 50V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 2A SOT-223-8
京电港自营
自营
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ZDM4306NTC
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
2A
330 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 1mA
-
350pF @ 25V
3W
表面贴装
SOT-223
SOT-223-8
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
京电港自营
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DMP4047SSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
40V
5.1A
45 毫欧 @ 4.4A，10V
3V @ 250µA
21.5nC @ 10V
1154pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥2.55
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V SOT963
京电港自营
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DMC2990UDJ-7
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
450mA，310mA
990 毫欧 @ 100mA，4.5V
1V @ 250µA
0.5nC @ 4.5V
27.6pF @ 15V
350mW
表面贴装
SOT-963
SOT-963
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
京电港自营
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DMN6040SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
5A
40 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.13
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 5.2A 8SO
京电港自营
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DMN4031SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
5.2A
31 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
18.6nC @ 10V
945pF @ 20V
1.42W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.9A/5A 8-SOIC
京电港自营
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DMC3035LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.9A，5A
35 毫欧 @ 6.9A，10V
2.1V @ 250µA
8.6nC @ 10V
384pF @ 15V
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 8.6A/6.5A 8-SO
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DMC4015SSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
8.6A，6.2A
15 毫欧 @ 3A，10V
3V @ 250µA
40nC @ 10V
1810pF @ 20V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8VDFN
京电港自营
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DMN3035LWN-7
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
5.5A
35 毫欧 @ 4.8A，10V
2V @ 250µA
9.9nC @ 10V
399pF @ 15V
770mW
表面贴装
V-DFN3020-8
8-PowerVDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥1.68
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 0.22A SOT363
京电港自营
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DMN63D8LDWQ-7
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
220mA
2.8 欧姆 @ 250mA，10V
1.5V @ 250µA
0.87nC @ 10V
22pF @ 25V
300mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥11.73
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.7A 8TSSOP
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DMN2040LTS-13
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
6.7A
26 毫欧 @ 6A，4.5V
1.2V @ 250µA
5.2nC @ 4.5V
570pF @ 10V
890mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
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DMN2215UDM-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
2A
100 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1V @ 250µA
-
188pF @ 10V
650mW
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 5.9A 8SOIC
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ZXMN2A04DN8TC
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
5.9A
25 毫欧 @ 5.9A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
22.1nC @ 5V
1880pF @ 10V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥9.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SOIC
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DMHC3025LSDQ-13
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
标准
30V
6A，4.2A
25 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V
590pF @ 15V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSOT26
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DMN3135LVT-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
3.5A
60 毫欧 @ 3.1A，10V
2.2V @ 250µA
4.1nC @ 4.5V
305pF @ 15V
840mW
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥73.29
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A 8-SOIC
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DI9952T
-
N 和 P 沟道
标准
30V
2.9A
-
-
-
-
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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