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¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
京电港自营
自营
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DMG4800LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
7.5A
16 毫欧 @ 9A，10V
1.6V @ 250µA
8.56nC @ 5V
798pF @ 10V
1.17W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
京电港自营
自营
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DMN6040SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
5A
40 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8-SO
京电港自营
自营
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DMC3021LSDQ-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.5A，7A
21 毫欧 @ 7A，10V
2.1V @ 250µA
16.1nC @ 10V
767pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
京电港自营
自营
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DMN2016UTS-13
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
8.58A
14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1V @ 250µA
16.5nC @ 4.5V
1495pF @ 10V
880mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥15.54
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 7A/5.1A 8SOIC
京电港自营
自营
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DMC4047LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
7A，5.1A
24 毫欧 @ 6A，10V
2.4V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥16.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
京电港自营
自营
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DMG4822SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
10A
20 毫欧 @ 8.5A，10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
478.9pF @ 16V
1.42W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
京电港自营
自营
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ZXMN3A06DN8TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.9A
35 毫欧 @ 9A，10V
1V @ 250µA（最小）
17.5nC @ 10V
796pF @ 25V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.47
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
京电港自营
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DMN3024LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
6.8A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥16.47
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 8.4A 8SO
京电港自营
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DMN3015LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
8.4A（Ta）
15 毫欧 @ 12A，10V
2.5V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥18.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.9A 8SO
京电港自营
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ZXMC3F31DN8TA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平栅极，4.5V 驱动
30V
6.8A，4.9A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.63
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 3.4A 8-SOIC
京电港自营
自营
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ZXMP3A17DN8TA
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
3.4A
70 毫欧 @ 3.2A，10V
1V @ 250µA（最小）
15.8nC @ 10V
630pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥18.93
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
京电港自营
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DMC3028LSDXQ-13
-
N 和 P 沟道
标准
30V
5.5A，5.8A
27 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.2nC @ 5V
641pF @ 15V
1.2W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥19.17
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
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DMN4026SSDQ-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥19.86
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
京电港自营
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DMG4511SK4-13
-
N 和 P 沟道，共漏
逻辑电平门
35V
5.3A，5A
35 毫欧 @ 8A，10V
3V @ 250µA
18.7nC @ 10V
850pF @ 25V
1.54W
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥20.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 30V 4.2A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMP3A16DN8TA
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
30V
4.2A
45 毫欧 @ 4.2A，10V
1V @ 250µA（最小）
29.6nC @ 10V
1022pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥23.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
京电港自营
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DMP4050SSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
标准
40V
4A
50 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.9nC @ 10V
674pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥24.12
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 30A V-DFN3030-8
京电港自营
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DMT3009LDT-7
-
2 N 沟道（双）非对称型
标准
30V
30A
11.1 毫欧 @ 14.4A，10V
3V @ 250µA
20nC @ 15V
1500pF @ 15V
1.2W
表面贴装
V-DFN3030-8（K 类）
8-VDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥24.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
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ZXMC10A816N8TC
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
100V
2A
230 毫欧 @ 1A，10V
2.4V @ 250µA
9.2nC @ 10V
497pF @ 50V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥25.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
京电港自营
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ZXMC3AMCTA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.9A，2.1A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
1.7W
表面贴装
8-DFN（3x2）
8-WDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥26.37
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
京电港自营
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ZXMHC3F381N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
3.98A，3.36A
33 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9nC @ 10V
430pF @ 15V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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