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¥9.03
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 3.3A 8SO
京电港自营
自营
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DMN6066SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
3.3A
66 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
10.3nC @ 10V
502pF @ 30V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN
京电港自营
自营
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ZXMN3AMCTA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
2.9A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
1.7W
表面贴装
8-DFN（3x2）
8-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.55
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 6.9A 8SO
京电港自营
自营
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DMP4025LSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
40V
6.9A
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
33.7nC @ 10V
1640pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 4.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4034SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
4.8A
34 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
18nC @ 10V
453pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.28
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 5.4A 8SO
京电港自营
自营
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DMN4027SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
5.4A
27 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
604pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥8.10
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 6.8A 8SO
京电港自营
自营
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DMC4040SSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
6.8A
25 毫欧 @ 3A，10V
1.8V @ 250µA
37.6nC @ 10V
1790pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.92
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8SO
京电港自营
自营
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DMHC3025LSD-13
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
6A，4.2A
25 毫欧 @ 5A，10V
2V @ 250µA
11.7nC @ 10V
590pF @ 15V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥10.89
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 60V 8-SOIC
京电港自营
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ZXMHC6A07N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
60V
1.39A，1.28A
250 毫欧 @ 1.8A，10V
3V @ 250µA
3.2nC @ 10V
166pF @ 40V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.41
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
京电港自营
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ZXMHC3A01N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
2.17A，1.64A
125 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥26.37
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 30V 8-SOIC
京电港自营
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ZXMHC3F381N8TC
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
30V
3.98A，3.36A
33 毫欧 @ 5A，10V
3V @ 250µA
9nC @ 10V
430pF @ 15V
870mW
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥25.26
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8DFN
京电港自营
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ZXMC3AMCTA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
2.9A，2.1A
120 毫欧 @ 2.5A，10V
3V @ 250µA
3.9nC @ 10V
190pF @ 25V
1.7W
表面贴装
8-DFN（3x2）
8-WDFN 裸露焊盘
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥10.38
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 40V 4A/3.6A 8SOIC
京电港自营
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ZXMC4A16DN8TA
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
40V
4A，3.6A
50 毫欧 @ 4.5A，10V
1V @ 250mA（最小）
17nC @ 10V
770pF @ 40V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥24.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 100V 2A 8-SOIC
京电港自营
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ZXMC10A816N8TC
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
100V
2A
230 毫欧 @ 1A，10V
2.4V @ 250µA
9.2nC @ 10V
497pF @ 50V
1.8W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥9.06
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N/2P-CH 40V 8-SOIC
京电港自营
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DMHC4035LSD-13
-
2 个 N 通道和 2 个 P 通道（H 桥）
逻辑电平门
40V
4.5A，3.7A
45 毫欧 @ 3.9A，10V
3V @ 250µA
12.5nC @ 10V
574pF @ 20V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥23.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 4A 8SO
京电港自营
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DMP4050SSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
标准
40V
4A
50 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
13.9nC @ 10V
674pF @ 20V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.53
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 20V 7.8A/6.3A 8SO
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DMC2020USD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
20V
7.8A，6.3A
20 毫欧 @ 7A，4.5V
1.5V @ 250µA
11.6nC @ 4.5V
1149pF @ 10V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥19.86
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 35V TO252-4L
京电港自营
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DMG4511SK4-13
-
N 和 P 沟道，共漏
逻辑电平门
35V
5.3A，5A
35 毫欧 @ 8A，10V
3V @ 250µA
18.7nC @ 10V
850pF @ 25V
1.54W
表面贴装
TO-252-4L
TO-252-5，DPak（4 引线 接片），TO-252AD
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥7.05
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 8V 24V POWERDI5060-8
京电港自营
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DMC1015UPD-13
-
N 和 P 沟道
标准
12V
9.5A，6.9A
17 毫欧 @ 11.8A，4.5V
1.5V @ 250µA
15.6nC @ 4.5V
1495pF @ 6V
2.3W
表面贴装
PowerDI5060-8
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 20V 5.8A 8-SOIC
京电港自营
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DMP2066LSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
20V
5.8A
40 毫欧 @ 4.6A，4.5V
1.2V @ 250µA
10.1nC @ 4.5V
820pF @ 15V
2W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 12V U-WLB1818-4
京电港自营
自营
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DMN1033UCB4-7
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
-
-
-
-
37nC @ 4.5V
-
1.45W
表面贴装
U-WLB1818-4
4-UFBGA，WLBGA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周

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