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¥6.78
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 9.5A 8SO
京电港自营
自营
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DMG6898LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
9.5A
16 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1.5V @ 250µA
26nC @ 10V
1149pF @ 10V
1.28W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥6.57
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 40V 5.1A 8SOIC
京电港自营
自营
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DMP4047SSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
逻辑电平门
40V
5.1A
45 毫欧 @ 4.4A，10V
3V @ 250µA
21.5nC @ 10V
1154pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CHA 30V 7.7A DFN2020
京电港自营
自营
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DMT3020LFDB-7
2 个 N 沟道（双）
标准
30V
7.7A
20 毫欧 @ 9A，10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
393pF @ 15V
700mW
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.43
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 0.115A SOT-363
京电港自营
自营
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DMN66D0LDW-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
115mA
5 欧姆 @ 115mA，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
250mW
表面贴装
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥15.09
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 8.58A 8-TSSOP
京电港自营
自营
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DMN2016UTS-13
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
8.58A
14.5 毫欧 @ 9.4A，4.5V
1V @ 250µA
16.5nC @ 4.5V
1495pF @ 10V
880mW
表面贴装
8-TSSOP
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥5.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 6.1A DFN
京电港自营
自营
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DMG8601UFG-7
-
2 N 沟道（双）共漏
逻辑电平门
20V
6.1A
23 毫欧 @ 6.5A，4.5V
1.05V @ 250µA
8.8nC @ 4.5V
143pF @ 10V
920mW
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.01
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP
京电港自营
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ZXMN2AM832TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
2.9A
120 毫欧 @ 4A，4.5V
700mV @ 250µA（最小）
3.1nC @ 4.5V
299pF @ 15V
1.7W
表面贴装
8-MLP（3x2）
8-VDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 6.6A/6.8A 8SO
京电港自营
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DMC3028LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
6.6A，6.8A
28 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.83
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N/P-CH 30V 8.5A/7A 8SO
京电港自营
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DMC3021LSD-13
-
N 和 P 沟道
逻辑电平门
30V
8.5A，7A
21 毫欧 @ 7A，10V
2.1V @ 250µA
16.1nC @ 10V
767pF @ 10V
2.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥14.67
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 60V 5A 8SO
京电港自营
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DMN6040SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
60V
5A
40 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.48
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 40V 7A 8SO
京电港自营
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DMN4026SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
40V
7A
24 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
19.1nC @ 10V
1060pF @ 20V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥6.27
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 5.5A 8SOIC
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ZXMN3G32DN8TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
5.5A
28 毫欧 @ 6A，10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
472pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥6.27
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 5.7A 8SOIC
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ZXMN3F31DN8TA
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
5.7A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥16.23
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 10A 8SO
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DMG4822SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
10A
20 毫欧 @ 8.5A，10V
3V @ 250µA
10.5nC @ 10V
478.9pF @ 16V
1.42W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.64
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2P-CH 60V 3.3A 8SO
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DMP6110SSD-13
-
2 个 P 沟道（双）
标准
60V
3.3A
105 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
1.2W
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥16.47
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 6.8A 8SO
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DMN3024LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
6.8A
24 毫欧 @ 7A，10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
608pF @ 15V
1.8W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥5.52
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET N-CH 60V 5.0A SO-8
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DMN6040SSDQ-13
-
2 个 N 沟道（双）
标准
60V
5A（Ta）
40 毫欧 @ 4.5A，10V
3V @ 250µA
22.4nC @ 10V
1287pF @ 25V
1.3W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.71
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 6.7A 8SO
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DMN3018SSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
6.7A
22 毫欧 @ 10A，10V
2.1V @ 250µA
13.2nC @ 10V
697pF @ 15V
1.5W
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.62
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 20V 2A SOT-26
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DMN2215UDM-7
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
20V
2A
100 毫欧 @ 2.5A，4.5V
1V @ 250µA
-
188pF @ 10V
650mW
表面贴装
SOT-26
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥13.98
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-阵列 MOSFET 2N-CH 30V 7.5A 8SO
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DMG4800LSD-13
-
2 个 N 沟道（双）
逻辑电平门
30V
7.5A
16 毫欧 @ 9A，10V
1.6V @ 250µA
8.56nC @ 5V
798pF @ 10V
1.17W
表面贴装
8-SOP
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周

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