|
|
DMN2400UFD-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
500nC @ 4.5V |
37pF @ 16V |
±12V |
- |
400mW（Ta） |
600 毫欧 @ 200mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X1-DFN1212-3 |
3-UDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMG3415UFY4Q-7 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
10nC @ 4.5V |
282pF @ 10V |
±8V |
- |
650mW（Ta） |
39 毫欧 @ 4A，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN2015-3 |
3-XFDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMP32D5LFA-7B |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
0.7nC @ 4.5V |
40.9pF @ 15V |
±8V |
- |
360mW（Ta） |
1.5 欧姆 @ 200mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN0806-3 |
3-XFDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN1260UFA-7B |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
0.96nC @ 4.5V |
60pF @ 10V |
±8V |
- |
360mW（Ta） |
366 毫欧 @ 200mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN0806-3 |
3-XFDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN6140LQ-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
8.6nC @ 10V |
315pF @ 40V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
140 毫欧 @ 1.8A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN31D5UFZ-7B |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.2V，4.5V |
1V @ 250µA |
0.35nC @ 4.5V |
22.2pF @ 15V |
±12V |
- |
393mW（Ta） |
1.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
X2-DFN0606-3 |
3-XFDFN |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
MMBF170Q-7-F |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
- |
40pF @ 10V |
±20V |
- |
300mW（Ta） |
5 欧姆 @ 200mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
BSS123WQ-7-F |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2V @ 1mA |
- |
60pF @ 25V |
±20V |
- |
200mW（Ta） |
6 欧姆 @ 170mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-323 |
SC-70，SOT-323 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN55D0UT-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.5V，4V |
1V @ 250µA |
- |
25pF @ 10V |
±12V |
- |
200mW（Ta） |
4 欧姆 @ 100mA，4V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-523 |
SOT-523 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
DMN61D9U-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8V，5V |
1V @ 250µA |
0.4nC @ 4.5V |
28.5pF @ 30V |
±20V |
- |
370mW（Ta） |
2 欧姆 @ 50mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
DMN601WK-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.5V @ 1mA |
- |
50pF @ 25V |
±20V |
- |
200mW（Ta） |
2 欧姆 @ 500mA，10V |
-65°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-323 |
SC-70，SOT-323 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN62D0UW-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
0.5nC @ 4.5V |
32pF @ 30V |
±20V |
- |
320mW（Ta） |
2 欧姆 @ 100mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-323 |
SC-70，SOT-323 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN61D9UW-7 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8V，5V |
1V @ 250µA |
0.4nC @ 4.5V |
28.5pF @ 30V |
±20V |
- |
320mW（Ta） |
2 欧姆 @ 50mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-323 |
SC-70，SOT-323 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
|
DMN62D0U-13 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
0.5nC @ 4.5V |
32pF @ 30V |
±20V |
- |
380mW（Ta） |
2 欧姆 @ 100mA，4.5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
2N7002E-7-F |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
0.22nC @ 4.5V |
50pF @ 25V |
±20V |
- |
370mW（Ta） |
3 欧姆 @ 250mA，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
ZVN3320ASTOA |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
3V @ 1mA |
- |
45pF @ 25V |
±20V |
- |
625mW（Ta） |
25 欧姆 @ 100mA，10V |
- |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3（TO-226AA）（成形引线） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
ZVNL120A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3V，5V |
1.5V @ 1mA |
- |
85pF @ 25V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
10 欧姆 @ 250mA，5V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN4206A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5V，10V |
3V @ 1mA |
- |
100pF @ 25V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
1 欧姆 @ 1.5A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN2110A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
2.4V @ 1mA |
- |
75pF @ 25V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
4 欧姆 @ 1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
ZVN2106A |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
10V |
2.4V @ 1mA |
- |
75pF @ 18V |
±20V |
- |
700mW（Ta） |
2 欧姆 @ 1A，10V |
-55°C ~ 150°C（TJ） |
通孔 |
TO-92-3 |
TO-226-3，TO-92-3 标准主体（!--TO-226AA） |
散装 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
