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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 3A DPAK
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8SOFL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3A 6UDFN
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 1.2A 6UDFN
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 44A SO-8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A U8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 160A SO8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 41A SGL IPAK
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3.9A CHIPFET
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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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型号
ECH8315-TL-W
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 7.5A ECH8
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ECH8315-TL-W
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
18nC @ 10V
875pF @ 10V
1.5W(Ta)
25 毫欧 @ 3.5A,10V
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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5.40
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型号
SFT1452-TL-W
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 3A DPAK
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SFT1452-TL-W
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W(Ta), 26W(Tc)
2.4 欧姆 @ 1.5A,10V
表面贴装
DPAK/TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
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SFT1452-W
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 250V 3A IPAK
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SFT1452-W
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W(Ta), 26W(Tc)
2.4 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
NTLUS3A18PZCTCG
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A UDFN
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NTLUS3A18PZCTCG
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.1A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
-
18 毫欧 @ 7A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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NTLUS3A18PZTBG
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 8.2A 6UDFN
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NTLUS3A18PZTBG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.1A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW(Ta)
18 毫欧 @ 7A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
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NTMFS4927NCT3G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8SOFL
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NTMFS4927NCT3G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
8nC @ 4.5V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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NTMFS4927NCT1G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8SOFL
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NTMFS4927NCT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
8nC @ 4.5V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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型号
NTLUS3A90PZTBG
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3A 6UDFN
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NTLUS3A90PZTBG
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
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5.40
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型号
NTLUF4189NZTAG
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5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 1.2A 6UDFN
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NTLUF4189NZTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.2A(Ta)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
95pF @ 15V
500mW(Ta)
200 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-UFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥
5.40
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4C09NAT1G
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5.40
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
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NTMFS4C09NAT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),52A(Tc)
2.1V @ 250µA
1.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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5.37
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型号
NTGS3433T1G
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 2.35A 6-TSOP
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NTGS3433T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.35A(Ta)
2.5V,4.5V
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
550pF @ 5V
500mW(Ta)
75 毫欧 @ 3.3A,4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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5.37
另提供行业标准包装
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型号
NTMD4184PFR2G
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
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NTMD4184PFR2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.3A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
360pF @ 10V
770mW(Ta)
95 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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5.37
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型号
NTD4979N-35G
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9.4A IPAK TRIMME
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NTD4979N-35G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.4A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
16.5nC @ 10V
837pF @ 15V
1.38W(Ta),26.3W(Tc)
9 毫欧 @ 30A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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5.37
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型号
NTTFS4930NTWG
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
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NTTFS4930NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta),23A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 15V
790mW(Ta),20.2W(Tc)
23 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
5.37
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4926NT3G
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 44A SO-8FL
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NTMFS4926NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW(Ta),21.6W(Tc)
7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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5.31
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS4C13NTWG
¥
5.31
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A U8FL
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NTTFS4C13NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 4.5V
770pF @ 15V
780mW(Ta),21.5W(Tc)
9.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
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5.31
另提供行业标准包装
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型号
CPH6443-TL-H
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5.31
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 35V 6A CPH6
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CPH6443-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W(Ta)
37 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
5.22
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4983NFT3G
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5.22
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 160A SO8FL
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NTMFS4983NFT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
22A(Ta),106A(Tc)
4.5V,10V
2.3V @ 1mA
47.9nC @ 10V
3250pF @ 15V
1.7W(Ta),38W(Tc)
2.1 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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5.19
另提供行业标准包装
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型号
NTD4909NA-35G
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5.19
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 41A SGL IPAK
京电港自营
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NTD4909NA-35G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.8A(Ta),41A(Tc)
2.2V @ 250µA
17.5nC @ 10V
1314pF @ 15V
-
8 毫欧 @ 30A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线,IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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5.19
另提供行业标准包装
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型号
NTHS5441T1G
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5.19
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3.9A CHIPFET
京电港自营
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NTHS5441T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.9A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
22nC @ 4.5V
710pF @ 5V
1.3W(Ta)
46 毫欧 @ 3.9A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
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