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供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥1.11
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 0.5A SOT23
京电港自营
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MMBFV170LT3G
-
-
-
-
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-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 0.196A SOT23
京电港自营
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NTR5105PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
196mA（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
1nC @ 5V
30.3pF @ 25V
347mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
京电港自营
自营
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2N7002WT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥0.81
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 320MA SOT-23
京电港自营
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2N7002KT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
320mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
350mW（Ta）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥26.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 11A DFN5
京电港自营
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NVMFS6B14NLWFT1G
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta），55A（Tc）
4.5V，10V
3V @ 250µA
8nC @ 4.5V
1680pF @ 25V
3.8W（Ta），94W（Tc）
13 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥27.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 42A D2PAK
京电港自营
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NTB6413ANT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
42A（Tc）
10V
4V @ 250µA
51nC @ 10V
1800pF @ 25V
136W（Tc）
28 毫欧 @ 42A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥38.31
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 75A ATPAK
京电港自营
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ATP104-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
75A（Ta）
4.5V，10V
-
76nC @ 10V
3950pF @ 10V
60W（Tc）
8.4 毫欧 @ 38A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
询价
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 35A ATPAK
京电港自营
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ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
35A（Ta）
4V，10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W（Tc）
23 毫欧 @ 18A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥16.47
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 16A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4833NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
16A（Ta），156A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
88nC @ 11.5V
5600pF @ 12V
910mW（Ta），125W（Tc）
2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥30.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8WDFN
京电港自营
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NVTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W（Ta），21W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥13.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 14A U8FL
京电港自营
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NTTFS3A08PZTAG
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 4.5V
5000pF @ 10V
840mW（Ta）
6.7 毫欧 @ 12A，4.5V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥12.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 13.7A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4845NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13.7A（Ta），115A（Tc）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
62nC @ 11.5V
3720pF @ 12V
890mW（Ta），62.5W（Tc）
2.9 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥13.89
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 12A TP-FA
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SFT1342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
12A（Ta）
4V，10V
-
26nC @ 10V
1150pF @ 20V
1W（Ta），15W（Tc）
62 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥10.65
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 40V 20A WDFN8
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NTTFS5C454NLTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
20A（Ta），85A（Tc）
4.5V，10V
2V @ 45µA
18nC @ 10V
1600pF @ 25V
3.2W（Ta）, 55W（Tc）
3.8 毫欧 @ 20A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥10.59
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 12A SO-8FL
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NTMFS4835NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），130A（Tc）
4.5V，11.5V
2.5V @ 250µA
52nC @ 11.5V
3100pF @ 12V
890mW（Ta），62.5W（Tc）
3.5 毫欧 @ 30A， 10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥8.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 10A SOT223
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NTF6P02T3G
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
10A（Ta）
2.5V，4.5V
1V @ 250µA
20nC @ 4.5V
1200pF @ 16V
8.3W（Ta）
50 毫欧 @ 6A，4.5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥20.73
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 24A DPAK
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NTD24N06T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
24A（Ta）
10V
4V @ 250µA
48nC @ 10V
1200pF @ 25V
1.36W（Ta），62.5W（Tj）
42 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥8.76
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 800V 2.9A DPAK
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NDD03N80ZT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.9A（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
17nC @ 10V
440pF @ 25V
96W（Tc）
4.5 欧姆 @ 1.2A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥6.48
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 4A 6UDFN
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NTLUS3A40PZTAG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW（Ta）
29 毫欧 @ 6.4A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（2x2）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥6.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
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NTMFS4941NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），47A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1650pF @ 15V
910mW（Ta），25.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周

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