|
|
NTMFS4934NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17.1A（Ta），147A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
34nC @ 4.5V |
5505pF @ 15V |
930mW（Ta），69.44W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTMFS5C442NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
29A（Ta）, 140A（Tc） |
10V |
4V @ 250µA |
6.6nC @ 10V |
2100pF @ 25V |
3.7W（Ta）, 83W（Tc） |
2.3 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NVD6824NLT4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.5A（Ta），41A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
66nC @ 10V |
3468pF @ 25V |
3.9W（Ta），90W（Tc） |
20 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
ATP208-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
90A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
83nC @ 10V |
4510pF @ 20V |
60W（Tc） |
6 毫欧 @ 45A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTMFS4982NFT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
26.5A（Ta），207A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 1mA |
84nC @ 10V |
6000pF @ 15V |
1.5W（Ta） |
1.3 毫欧 @ 25A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
ATP301-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
28A（Ta） |
10V |
- |
73nC @ 10V |
4000pF @ 20V |
70W（Tc） |
75 毫欧 @ 14A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTMS10P02R2G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.8A（Ta） |
2.5V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
70nC @ 4.5V |
3640pF @ 16V |
1.6W（Ta） |
14 毫欧 @ 10A，4.5V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
ATP302-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
70A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
115nC @ 10V |
5400pF @ 20V |
70W（Tc） |
13 毫欧 @ 35A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
11 周 |
|
|
NTMFS5C450NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
24A（Ta）, 102A（Tc） |
10V |
3.5V @ 65µA |
5.1nC @ 10V |
1600pF @ 25V |
3.6W（Ta）, 68W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
ATP206-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
40A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
27nC @ 10V |
1630pF @ 20V |
40W（Tc） |
16 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTMFS4C55NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11.9A（Ta），78A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1972pF @ 15V |
- |
3.4 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
|
NVTFS5811NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1570pF @ 25V |
3.2W（Ta），21W（Tc） |
6.7 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
31 周 |
|
|
NVTFS5820NLTWG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta） |
4.5V，10V |
2.3V @ 250µA |
28nC @ 10V |
1462pF @ 25V |
3.2W（Ta），21W（Tc） |
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTTFS5C453NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
23A（Ta），107A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 63µA |
35nC @ 10V |
2100pF @ 25V |
3.3W（Ta）, 68W（Tc） |
3 毫欧 @ 40A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NVD5863NLT4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
14.9A（Ta），82A（Tc） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
70nC @ 10V |
3850pF @ 25V |
3.1W（Ta），96W（Tc） |
7.1 毫欧 @ 41A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
|
NTMFS5C456NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
- |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
18nC @ 10V |
1600pF @ 25V |
3.6W（Ta）, 55W（Tc） |
3.7 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTD4804NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
14.5A（Ta），124A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
40nC @ 4.5V |
4490pF @ 12V |
1.43W（Ta），107W（Tc） |
4 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTMS4807NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.1A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
24nC @ 4.5V |
2900pF @ 24V |
860mW（Ta） |
6.1 毫欧 @ 14.8A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
SFT1445-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
19nC @ 10V |
1030pF @ 20V |
1W（Ta），35W（Tc） |
111 毫欧 @ 8.5A，10V |
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
18 周 |
|
|
SFT1446-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
20A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
16nC @ 10V |
750pF @ 20V |
1W（Ta），23W（Tc） |
51 毫欧 @ 10A，10V |
表面贴装 |
TP-FA |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
