|
NVGS5120PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
1.8A(Ta) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
18.1nC @ 10V |
942pF @ 30V |
600mW(Ta) |
111 毫欧 @ 2.9A,10V |
表面贴装 |
6-TSOP |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
NTD6415ANLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
23A(Tc) |
4.5V,10V |
2V @ 250µA |
35nC @ 10V |
1024pF @ 25V |
83W(Tc) |
52 毫欧 @ 10A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
ATP112-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
25A(Ta) |
4V,10V |
- |
33.5nC @ 10V |
1450pF @ 20V |
40W(Tc) |
43 毫欧 @ 13A,10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK(2 引线 接片) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
NDD04N50ZT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3A(Tc) |
10V |
4.5V @ 50µA |
12nC @ 10V |
308pF @ 25V |
61W(Tc) |
2.7 欧姆 @ 1.5A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTMS4920NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
10.6A(Ta) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
58.9nC @ 10V |
4068pF @ 25V |
820mW(Ta) |
4.3 毫欧 @ 7.5A,10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTMS7N03R2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
4.8A(Ta) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
43nC @ 10V |
1190pF @ 25V |
800mW(Ta) |
23 毫欧 @ 7A,10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
ECH8310-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9A(Ta) |
4V,10V |
- |
28nC @ 10V |
1400pF @ 10V |
1.5W(Ta) |
17 毫欧 @ 4.5A,10V |
表面贴装 |
8-ECH |
8-SMD,扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NVF5P03T3G |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3.7A(Ta) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
38nC @ 10V |
950pF @ 25V |
1.56W(Ta) |
100 毫欧 @ 5.2A,10V |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
NTMFS5C468NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
- |
4.5V,10V |
2V @ 250µA |
7.3nC @ 10V |
570pF @ 20V |
3.5W(Ta),28W(Tc) |
10.3 毫欧 @ 20A,10V |
表面贴装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
ATP106-TL-H |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
30A(Ta) |
4.5V,10V |
- |
29nC @ 10V |
1380pF @ 20V |
40W(Tc) |
25 毫欧 @ 15A,10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK(2 引线 接片) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
15 周 |
|
NTNS3193NZT5G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
224mA(Ta) |
1.5V,4.5V |
1V @ 250µA |
0.7nC @ 4.5V |
15.8pF @ 15V |
120mW(Ta) |
1.4 欧姆 @ 100mA,4.5V |
表面贴装 |
3-XLLGA(0.62x0.62) |
3-XFLGA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
1HP04CH-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
170mA(Ta) |
4V,10V |
2.6V @ 100µA |
0.9nC @ 10V |
14pF @ 20V |
- |
18 欧姆 @ 80mA,10V |
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
EFC4612R-TR |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
6A(Ta) |
- |
1.3V @ 1mA |
7nC @ 4.5V |
- |
1.6W(Ta) |
45 毫欧 @ 3A,4.5V |
表面贴装 |
EFCP1313-4CC-037 |
4-XFBGA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
NTD3055-150T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9A(Ta) |
10V |
4V @ 250µA |
15nC @ 10V |
280pF @ 25V |
1.5W(Ta),28.8W(Tj) |
150 毫欧 @ 4.5A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
NVD3055L170T4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9A(Ta) |
5V |
2V @ 250µA |
10nC @ 5V |
275pF @ 25V |
1.5W(Ta),28.5W(Tj) |
170 毫欧 @ 4.5A,5V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
NTNS3190NZT5G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
224mA(Ta) |
1.5V,4.5V |
1V @ 250µA |
0.7nC @ 4.5V |
15.8pF @ 15V |
120mW(Ta) |
1.4 欧姆 @ 100mA,4.5V |
表面贴装 |
3-XLLGA(0.62x0.62) |
3-XFDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
NTTFS4928NTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
7.3A(Ta),37A(Tc) |
4.5V,10V |
2.2V @ 250µA |
16nC @ 10V |
913pF @ 15V |
810mW(Ta),20.8W(Tc) |
9 毫欧 @ 20A,10V |
表面贴装 |
8-WDFN(3.3x3.3) |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
SVD5867NLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
22A(Tc) |
4.5V,10V |
2.5V @ 250µA |
15nC @ 10V |
675pF @ 25V |
3.3W(Ta),43W(Tc) |
39 毫欧 @ 11A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
剪切带(CT) |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
NTMS4801NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
7.5A(Ta) |
4.5V,10V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 10V |
2201pF @ 25V |
800mW(Ta) |
9 毫欧 @ 12A,10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTLJS4114NT1G |
|
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3.6A(Ta) |
1.8V,4.5V |
1V @ 250µA |
13nC @ 4.5V |
650pF @ 15V |
700mW(Ta) |
35 毫欧 @ 2A,4.5V |
表面贴装 |
6-WDFN(2x2) |
6-WDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |