|
|
NVD5117PLT4G-VF01 |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），61A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
85nC @ 10V |
4800pF @ 25V |
4.1W（Ta），118W（Tc） |
16 毫欧 @ 29A，10V |
表面贴装 |
DPAK-3 |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
NTB45N06LT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
1700pF @ 25V |
2.4W（Ta），125W（Tj） |
28 毫欧 @ 22.5A，5V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB25P06T4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
27.5A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
50nC @ 10V |
1680pF @ 25V |
120W（Tj） |
82 毫欧 @ 25A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB45N06T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
45A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
46nC @ 10V |
1725pF @ 25V |
2.4W（Ta），125W（Tj） |
26 毫欧 @ 22.5A，10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTMFS4923NET1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
12.7A（Ta），91A（Tc） |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
22nC @ 4.5V |
4850pF @ 15V |
930mW（Ta），48W（Tc） |
3.3 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
NTMFS4934NT3G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
17.1A（Ta），147A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
34nC @ 4.5V |
5505pF @ 15V |
930mW（Ta），69.44W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NDF04N60ZH |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.8A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
29nC @ 10V |
640pF @ 25V |
30W（Tc） |
2 欧姆 @ 2A，10V |
通孔 |
TO-220FP |
TO-220-3 整包 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
19 周 |
|
|
NVMFS5C423NLT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
- |
4.5V，10V |
2V @ 250µA |
50nC @ 10V |
3100pF @ 20V |
3.7W（Ta）, 83W（Tc） |
2 毫欧 @ 50A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTMFS4833NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
16A（Ta），156A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
88nC @ 11.5V |
5600pF @ 12V |
910mW（Ta），125W（Tc） |
2 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NDD02N60Z-1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
2.2A（Tc） |
10V |
4.5V @ 50µA |
10.1nC @ 10V |
274pF @ 25V |
57W（Tc） |
4.8 欧姆 @ 1A，10V |
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短引线，IPak，TO-251AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTB5605PT4G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
18.5A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
22nC @ 5V |
1190pF @ 25V |
88W（Tc） |
140 毫欧 @ 8.5A，5V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
ATP404-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
95A（Ta） |
4.5V，10V |
- |
120nC @ 10V |
6400pF @ 20V |
70W（Tc） |
7.2 毫欧 @ 48A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
ATP405-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
40A（Ta） |
10V |
- |
68nC @ 10V |
4000pF @ 20V |
70W（Tc） |
33 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK（2 引线 接片） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
9 周 |
|
|
NTD4815N-35G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.9A（Ta），35A（Tc） |
4.5V，11.5V |
2.5V @ 250µA |
14.1nC @ 11.5V |
770pF @ 12V |
1.26W（Ta），32.6W（Tc） |
15 毫欧 @ 30A，10V |
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短截引线，IPak |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTD4904NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
13A（Ta），79A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
41nC @ 10V |
3052pF @ 15V |
1.4W（Ta），52W（Tc） |
3.7 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTTFS5826NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
25nC @ 10V |
850pF @ 25V |
3.1W（Ta），19W（Tc） |
24 毫欧 @ 7.5A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
NTTFS4932NTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
11A（Ta），79A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
46.5nC @ 10V |
3111pF @ 15V |
850mW（Ta），43W（Tc） |
4 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
|
NTMFS4821NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.8A（Ta），58.5A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
16nC @ 4.5V |
1400pF @ 12V |
870mW（Ta），38.5W（Tc） |
6.95 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTMFS4841NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
8.3A（Ta），57A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
17nC @ 4.5V |
1436pF @ 12V |
870mW（Ta），41.7W（Tc） |
7 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
5-DFN（5x6）（8-SOFL） |
8-PowerTDFN，5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
|
NTMS4177PR2G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
6.6A（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
55nC @ 10V |
3100pF @ 24V |
840mW（Ta） |
12 毫欧 @ 11.4A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
