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FET类型
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电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.91
自营
MVMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
NTR4503NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
250pF @ 24V
420mW(Ta)
110 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTS4409NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
700mA(Ta)
2.7V,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
60pF @ 10V
280mW(Tj)
350 毫欧 @ 600mA,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥2.43
自营
NVF2201NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
150mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.43
自营
CPH6341-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
430pF @ 10V
1.6W(Ta)
59 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.43
自营
MCH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
800mW(Ta)
98 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
自营
MCH3475-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW(Ta)
180 毫欧 @ 900mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
自营
MCH3376-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
241 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.43
自营
CPH6355-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
1.6W(Ta)
169 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.43
自营
CPH3356-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
3.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
1W(Ta)
137 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.43
自营
MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
241 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.40
自营
MMBF0201NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
225mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥2.40
自营
NTLUS3A18PZTCG
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.1A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
28nC @ 4.5V
2240pF @ 15V
700mW(Ta)
18 毫欧 @ 7A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥2.34
自营
MCH3375-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
800mW(Ta)
295 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NTR3C21NZT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.6A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
17.8nC @ 4.5V
1540pF @ 16V
470mW(Ta)
24 毫欧 @ 5A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
BSS84LT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
130mA(Ta)
5V
2V @ 250µA
-
30pF @ 5V
225mW(Ta)
10 欧姆 @ 100mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
2V7002WT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
310mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW(Tj)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
NVTA7002NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
154mA(Tj)
2.5V,4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW(Tj)
7 欧姆 @ 154mA,4.5V
表面贴装
SC-75
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
NTK3043NT5G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
1.3V @ 250µA
-
11pF @ 10V
310mW(Ta)
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
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