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FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.24
自营
MCH5839-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
266 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
SC-88AFL/MCPH5
5-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.24
自营
CPH6337-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.6W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.24
自营
SCH1439-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
5.6nC @ 10V
280pF @ 10V
1W(Ta)
72 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.24
自营
CPH3461-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
350mA(Ta)
2.5V,4.5V
1.3V @ 1mA
2.1nC @ 4.5V
140pF @ 20V
1W(Ta)
6.5 欧姆 @ 170mA,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥3.24
自营
NTNS3A67PZT5G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
SC-101,SOT-883
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
NTNS3166NZT5G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-883(XDFN3)(1x0.6)
SC-101,SOT-883
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥3.24
自营
SCH2825-TL-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
-
2nC @ 10V
88pF @ 10V
600mW(Ta)
180 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
6-SCH
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.24
自营
SCH1332-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.18
自营
SCH1433-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.18
自营
NTTFS4C10NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.2A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
18.6nC @ 10V
993pF @ 15V
790mW(Ta), 23.6W(Tc)
7.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.15
自营
MCH6320-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1.5W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTHS5443T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.6A(Ta)
2.5V,4.5V
600mV @ 250µA
12nC @ 4.5V
-
1.3W(Ta)
65 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.09
自营
MCH6421-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1.5W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NVR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W(Tj)
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.06
自营
NTGS4111PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
750pF @ 15V
630mW(Ta)
60 毫欧 @ 3.7A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.00
自营
CPH3351-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6nC @ 10V
262pF @ 20V
1W(Ta)
250 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.00
自营
MCH3377-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
83 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥3.00
自营
SCH1330-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
1W(Ta)
241 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.91
自营
NTR4501NST1G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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