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系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
MVGSF1N03LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
140pF @ 5V
420mW(Ta)
100 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥4.23
自营
NTLUS3A40PZTBG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
29nC @ 4.5V
2600pF @ 15V
700mW(Ta)
29 毫欧 @ 6.4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(2x2)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NTHS4166NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.9A(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
18nC @ 10V
900pF @ 15V
800mW(Ta)
22 毫欧 @ 4.9A,10V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.17
自营
NTMFS4C09NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta),25.5W(Tc)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.11
自营
NTMFS4985NFT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17.5A(Ta),65A(Tc)
4.5V,10V
2.3V @ 1mA
30.5nC @ 10V
2100pF @ 15V
1.63W(Ta),22.73W(Tc)
3.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥4.05
自营
NTLUS3A90PZTAG
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.6A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW(Ta)
62 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
6-UDFN(1.6x1.6)
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥4.05
自营
MCH3486-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
7nC @ 10V
310pF @ 20V
1W(Ta)
137 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.02
自营
NTMFS4C09NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta),25.5W(Tc)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
自营
NTTFS4C25NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta),27A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW(Ta), 20.2W(Tc)
17 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥3.99
自营
CPH6442-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W(Ta)
43 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥3.99
自营
NTMFS4926NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW(Ta),21.6W(Tc)
7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
MVGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW(Ta)
90 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.51
自营
MCH6437-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.4nC @ 4.5V
660pF @ 10V
1.5W(Ta)
24 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NTGS3446T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
15nC @ 4.5V
750pF @ 10V
500mW(Ta)
45 毫欧 @ 5.1A,4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥3.45
自营
MCH6336-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
6.9nC @ 4.5V
660pF @ 6V
1.5W(Ta)
43 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥3.42
自营
CPH3459-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.4nC @ 10V
90pF @ 20V
1W(Ta)
3.7 欧姆 @ 250mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.42
自营
NTMFS4955NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.7A(Ta),48A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW(Ta),23.2W(Tc)
6 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.39
自营
NTMFS4927NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.33
自营
MCH3484-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
0.9V,2.5V
800mV @ 1mA
11nC @ 2.5V
630pF @ 10V
1W(Ta)
40 毫欧 @ 2A,2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥3.33
自营
CPH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
505pF @ 20V
1.6W(Ta)
78 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
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