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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 0.223A XLLGA3
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 8A MCPH6
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 6A MCPH6
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 0.915A SC75
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 40A DPAK
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 25V 14A DPAK
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3A EMH8
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 3A SOT89
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 5A MCPH6
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
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4.59
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 25A ATPAK
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
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4.50
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT23
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A SC70FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9.7A SO-8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 11A SO8FL
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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
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5.04
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型号
NTNS3A91PZT5G
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 0.223A XLLGA3
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NTNS3A91PZT5G
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
223mA(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
1.1nC @ 4.5V
41pF @ 15V
121mW(Ta)
1.6 欧姆 @ 100mA,4.5V
表面贴装
3-XLLGA(0.62x0.62)
3-XFLGA
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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NTTFS4939NTAG
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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NTTFS4939NTAG
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.9A(Ta),52A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
28nC @ 10V
1979pF @ 15V
850mW(Ta),29.8W(Tc)
5.5 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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MCH6448-TL-W
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 8A MCPH6
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MCH6448-TL-W
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8A(Ta)
1.2V,4.5V
1V @ 1mA
11.2nC @ 4.5V
705pF @ 10V
1.5W(Ta)
22 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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型号
MCH6436-TL-W
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 6A MCPH6
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MCH6436-TL-W
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W(Ta)
34 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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NVA4153NT1G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 0.915A SC75
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NVA4153NT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
915mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW(Ta)
230 毫欧 @ 600mA,4.5V
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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型号
NTD4813NHT4G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 40A DPAK
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NTD4813NHT4G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.6A(Ta),40A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
10nC @ 4.5V
940pF @ 12V
1.27W(Ta),35.3W(Tc)
13 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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4.92
另提供行业标准包装
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型号
SVD14N03RT4G
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4.92
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 25V 14A DPAK
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SVD14N03RT4G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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4.80
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型号
EMH2801-TL-H
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3A EMH8
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EMH2801-TL-H
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
4nC @ 4.5V
320pF @ 10V
1W(Ta)
85 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
8-EMH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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4.77
另提供行业标准包装
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型号
PCP1302-TD-H
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4.77
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 3A SOT89
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PCP1302-TD-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6.4nC @ 10V
262pF @ 20V
3.5W(Tc)
266 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SOT-89/PCP-1
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
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4.62
另提供行业标准包装
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型号
MCH6431-TL-W
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4.62
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 5A MCPH6
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MCH6431-TL-W
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
5.6nC @ 10V
280pF @ 10V
1.5W(Ta)
55 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥
4.62
另提供行业标准包装
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型号
MCH3374-TL-E
¥
4.62
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
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MCH3374-TL-E
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4V
-
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥
4.62
另提供行业标准包装
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型号
NTLJS3113PT1G
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4.62
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 20V 3.5A 6-WFDN
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NTLJS3113PT1G
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
15.7nC @ 4.5V
1329pF @ 16V
700mW(Ta)
40 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
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另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4C13NT3G
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4.59
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO8FL
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NTMFS4C13NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
15.2nC @ 10V
770pF @ 15V
750mW(Ta)
9.1 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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4.59
另提供行业标准包装
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型号
ATP101-V-TL-H
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4.59
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 25A ATPAK
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ATP101-V-TL-H
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-
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-
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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4.56
另提供行业标准包装
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型号
NTTFS4930NTAG
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4.56
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
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NTTFS4930NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta),23A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 15V
790mW(Ta),20.2W(Tc)
23 毫欧 @ 6A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥
4.50
另提供行业标准包装
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型号
MVSF2N02ELT1G
¥
4.50
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT23
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MVSF2N02ELT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
3.5nC @ 4V
150pF @ 5V
1.25W(Ta)
85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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4.41
另提供行业标准包装
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型号
MCH3383-TL-W
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4.41
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3.5A SC70FL
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MCH3383-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
0.9V,2.5V
800mV @ 1mA
6.2nC @ 2.5V
1010pF @ 6V
1W(Ta)
69 毫欧 @ 1.5A,2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥
4.41
另提供行业标准包装
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型号
NTGS5120PT1G
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4.41
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 60V 1.8A 6-TSOP
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对比
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NTGS5120PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
18.1nC @ 10V
942pF @ 30V
600mW(Ta)
111 毫欧 @ 2.9A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥
4.35
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4925NT1G
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4.35
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 9.7A SO-8FL
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NTMFS4925NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.7A(Ta),48A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
21.5nC @ 10V
1264pF @ 15V
920mW(Ta),23.2W(Tc)
5.6 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥
4.32
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4C250NT1G
¥
4.32
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 11A SO8FL
京电港自营
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对比
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NTMFS4C250NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),69A(Tc)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
2.6nC @ 4.5V
1683pF @ 15V
770mW(Ta)
4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
1
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3
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5
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7
8
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用户名:18714019-285718
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