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FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.33
自营
MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.30
自营
CPH6443-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W(Ta)
37 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥3.30
自营
SCH1433-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.96
自营
NVGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.1A(Ta)
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
-
65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NDTL01N60ZT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
250mA(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NDTL01N60ZT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
250mA(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
SOT-223(TO-261)
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.90
自营
NTMFS4C10NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.2A(Ta)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
9.7nC @ 4.5V
987pF @ 15V
750mW(Ta),23.6W(Tc)
6.95 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NVE4153NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
915mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW(Tj)
230 毫欧 @ 600mA,4.5V
表面贴装
SC-89
SC-89,SOT-490
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.84
自营
NTMFS4955NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.7A(Ta),48A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW(Ta),23.2W(Tc)
6 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥3.84
自营
MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
自营
CPH3362-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
700mA(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
3.7nC @ 10V
142pF @ 20V
1W(Ta)
1.7 欧姆 @ 700mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.75
自营
NTTFS4C25NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta),27A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW(Ta), 20.2W(Tc)
17 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
37 周
¥3.69
自营
NDDL01N60ZT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
800mA(Ta)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
26W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.30
自营
MGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW(Ta)
90 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.27
自营
NVJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1.2W(Ta)
67 毫欧 @ 2.9A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.27
自营
SCH1345-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.5V,4.5V
1.3V @ 1mA
11nC @ 4.5V
1220pF @ 10V
1W(Ta)
49 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1436-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
-
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW(Ta)
180 毫欧 @ 900mA,10V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1435-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
3.5nC @ 4.5V
265pF @ 10V
800mW(Ta)
89 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1430-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
1.8V,4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW(Ta)
125 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.27
自营
SCH1337-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
4V,10V
-
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
800mW(Ta)
150 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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