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系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥1.11
自营
MMBFV170LT3G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥3.96
自营
NVGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.1A(Ta)
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
-
65 毫欧 @ 4.4A,4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥8.79
自营
NTD6415ANLT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
23A(Tc)
4.5V,10V
2V @ 250µA
35nC @ 10V
1024pF @ 25V
83W(Tc)
52 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥55.56
自营
NTMFS5C404NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
53A(Ta),378A(Tc)
10V
4V @ 250µA
22nC @ 10V
8400pF @ 25V
3.9W(Ta),200W(Tc)
0.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥2.91
自营
NTR4501NST1G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.31
自营
CPH6443-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
470pF @ 20V
1.6W(Ta)
37 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥22.95
自营
NTB25P06T4G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
27.5A(Ta)
10V
4V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 25V
120W(Tj)
82 毫欧 @ 25A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
NTD4863NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.2A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
13.5nC @ 4.5V
990pF @ 12V
1.27W(Ta),36.6W(Tc)
9.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.51
自营
MCH6437-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.4nC @ 4.5V
660pF @ 10V
1.5W(Ta)
24 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥7.20
自营
ECH8310-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4V,10V
-
28nC @ 10V
1400pF @ 10V
1.5W(Ta)
17 毫欧 @ 4.5A,10V
表面贴装
8-ECH
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NDF11N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Tc)
10V
4.5V @ 100µA
69nC @ 10V
1645pF @ 25V
39W(Tc)
520 毫欧 @ 4.5A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
NTR4171PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.2A(Ta)
2.5V,10V
1.4V @ 250µA
15.6nC @ 10V
720pF @ 15V
480mW(Ta)
75 毫欧 @ 2.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NVA4153NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
915mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW(Ta)
230 毫欧 @ 600mA,4.5V
表面贴装
SC-75,SOT-416
SC-75,SOT-416
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥17.25
自营
ATP302-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
70A(Ta)
4.5V,10V
-
115nC @ 10V
5400pF @ 20V
70W(Tc)
13 毫欧 @ 35A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥3.30
自营
MCH6342-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.6nC @ 4.5V
650pF @ 10V
1.5W(Ta)
73 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.76
自营
NTMS4816NR2G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6.8A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
18.3nC @ 10V
1060pF @ 25V
780mW(Ta)
10 毫欧 @ 9A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥2.19
自营
3LN01SS-TL-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
SC-81(SSFP)
SC-81
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.35
自营
NTMFS4925NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.7A(Ta),48A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
21.5nC @ 10V
1264pF @ 15V
920mW(Ta),23.2W(Tc)
5.6 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥13.14
自营
NTD6414ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
32A(Tc)
10V
4V @ 250µA
40nC @ 10V
1450pF @ 25V
100W(Tc)
37 毫欧 @ 32A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
¥3.18
自营
SCH1433-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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