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FET类型
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电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥4.77
自营
PCP1302-TD-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
6.4nC @ 10V
262pF @ 20V
3.5W(Tc)
266 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SOT-89/PCP-1
TO-243AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥16.47
自营
NVTFS5124PLTAG
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.4A(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
6nC @ 10V
250pF @ 25V
3W(Ta),18W(Tc)
260 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
NDF06N60ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.1A(Tc)
10V
4.5V @ 100µA
47nC @ 10V
1107pF @ 25V
35W(Tc)
1.2 欧姆 @ 3A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥59.76
自营
NDFP03N150CG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
10V
-
34nC @ 10V
650pF @ 30V
2W(Ta),32W(Tc)
10.5 欧姆 @ 1A,10V
通孔
TO-220-3
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta)
4V,10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W(Tc)
23 毫欧 @ 18A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.54
自营
CPH6354-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
14nC @ 10V
600pF @ 20V
1.6W(Ta)
100 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥7.50
自营
NTTFS5826NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
25nC @ 10V
850pF @ 25V
3.1W(Ta),19W(Tc)
24 毫欧 @ 7.5A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
NTS2101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.4A(Ta)
1.8V,4.5V
700mV @ 250µA
6.4nC @ 5V
640pF @ 8V
290mW(Ta)
100 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥5.04
自营
NTD4965NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
13A(Ta),68A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
17.2nC @ 4.5V
1710pF @ 15V
1.39W(Ta),38.5W(Tc)
4.7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥18.00
自营
NVMFS5C423NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
4.5V,10V
2V @ 250µA
50nC @ 10V
3100pF @ 20V
3.7W(Ta), 83W(Tc)
2 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥34.86
自营
ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4.5V,10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W(Tc)
6.5 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥3.30
自营
SCH1433-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
2.8nC @ 4.5V
260pF @ 10V
800mW(Ta)
64 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563,SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥6.06
自营
NTF3055L108T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
5V
2V @ 250µA
15nC @ 5V
440pF @ 25V
1.3W(Ta)
120 毫欧 @ 1.5A,5V
表面贴装
SOT-223
TO-261-4,TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
NTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.13A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW(Tj)
200 毫欧 @ 1.95A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥4.44
自营
NTD4969NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.4A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
9nC @ 4.5V
837pF @ 15V
1.38W(Ta),26.3W(Tc)
9 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
NTD4815N-35G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6.9A(Ta),35A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
14.1nC @ 11.5V
770pF @ 12V
1.26W(Ta),32.6W(Tc)
15 毫欧 @ 30A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线,IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.24
自营
SCH2825-TL-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
-
2nC @ 10V
88pF @ 10V
600mW(Ta)
180 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
6-SCH
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.40
自营
ECH8315-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
18nC @ 10V
875pF @ 10V
1.5W(Ta)
25 毫欧 @ 3.5A,10V
表面贴装
SOT-28FL/ECH8
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
¥4.02
自营
NTMFS4943NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.3A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
20.9nC @ 10V
1401pF @ 15V
910mW(Ta),22.3W(Tc)
7.2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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