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MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.5A SOT563
京电港自营
自营
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SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
95 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.60
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.5A 6-TSOP
京电港自营
自营
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NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW（Ta）
100 毫欧 @ 3.5A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥7.56
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 13A SGL DPAK
京电港自营
自营
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NTD4904NT4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
13A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
41nC @ 10V
3052pF @ 15V
1.4W（Ta），52W（Tc）
3.7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT23
京电港自营
自营
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NVR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W（Tj）
80 毫欧 @ 3.6A，4.5V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 1.2A 6UDFN
京电港自营
自营
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NTLUF4189NZTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.2A（Ta）
2.5V，4.5V
1.5V @ 250µA
3nC @ 4.5V
95pF @ 15V
500mW（Ta）
200 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（1.6x1.6）
6-UFDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
24 周
¥34.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 100A ATPAK
京电港自营
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ATP304-TL-H
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
100A（Ta）
4.5V，10V
-
250nC @ 10V
13000pF @ 20V
90W（Tc）
6.5 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK（2 引线 接片）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 0.196A SOT23
京电港自营
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NTR5105PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
196mA（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
1nC @ 5V
30.3pF @ 25V
347mW（Ta）
5 欧姆 @ 100mA，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 48A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4955NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.7A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW（Ta），23.2W（Tc）
6 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥8.28
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 1.8A 6TSOP
京电港自营
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NVGS5120PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
18.1nC @ 10V
942pF @ 30V
600mW（Ta）
111 毫欧 @ 2.9A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
¥2.67
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 0.37A SB69
京电港自营
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6HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
370mA（Ta）
4V，10V
-
0.84nC @ 10V
24.1pF @ 20V
-
4.2 欧姆 @ 190mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
¥5.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 41A SGL IPAK
京电港自营
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NTD4909NA-35G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.8A（Ta），41A（Tc）
2.2V @ 250µA
17.5nC @ 10V
1314pF @ 15V
-
8 毫欧 @ 30A，10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短截引线，IPak
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥21.66
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 45A D2PAK
京电港自营
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NTB45N06T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
45A（Ta）
10V
4V @ 250µA
46nC @ 10V
1725pF @ 25V
2.4W（Ta），125W（Tj）
26 毫欧 @ 22.5A，10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥3.42
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 1.95A SOT23
京电港自营
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NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.13A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW（Tj）
200 毫欧 @ 1.95A，10V
表面贴装
SOT-23-3（TO-236）
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥6.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4941NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），47A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
25.5nC @ 10V
1650pF @ 15V
910mW（Ta），25.5W（Tc）
6.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 1.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3376-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW（Ta）
241 毫欧 @ 750mA，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.62
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 5A MCPH6
京电港自营
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MCH6431-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
5.6nC @ 10V
280pF @ 10V
1.5W（Ta）
55 毫欧 @ 2.5A，10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥16.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 60V 18.5A D2PAK
京电港自营
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NTB5605PT4G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
18.5A（Ta）
5V
2V @ 250µA
22nC @ 5V
1190pF @ 25V
88W（Tc）
140 毫欧 @ 8.5A，5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3，D²Pak（2 引线 接片），TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥3.27
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 2A SCH6
京电港自营
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SCH1430-TL-H
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
1.8V，4.5V
-
1.8nC @ 4.5V
128pF @ 10V
800mW（Ta）
125 毫欧 @ 1A，4.5V
表面贴装
6-SCH
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.61
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 7.5A 8-SOIC
京电港自营
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NTMS4801NR2G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.5A（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
25nC @ 10V
2201pF @ 25V
800mW（Ta）
9 毫欧 @ 12A，10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥59.76
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1500V 2.5A TO220
京电港自营
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NDFP03N150CG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Ta）
10V
-
34nC @ 10V
650pF @ 30V
2W（Ta），32W（Tc）
10.5 欧姆 @ 1A，10V
通孔
TO-220-3
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周

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