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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 800V 2.9A DPAK
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2.91
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
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5.22
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 160A SO8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V 4.8A TO-220FP
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 0.154A SC75-3
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 52A SO8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-363
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 100V 11A DFN5
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 260MA SOT-23
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3.69
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V 0.8A DPAK
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 10.6A 8SOIC
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V 4.8A TO220FP
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 11.9A SO8FL
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT23
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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
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型号
NDD03N80ZT4G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 800V 2.9A DPAK
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NDD03N80ZT4G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.9A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
17nC @ 10V
440pF @ 25V
96W(Tc)
4.5 欧姆 @ 1.2A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
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型号
MCH3374-TL-W
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
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MCH3374-TL-W
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4V
1.4V @ 1mA
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W(Ta)
70 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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NTMFS4983NFT3G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 160A SO8FL
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NTMFS4983NFT3G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
22A(Ta),106A(Tc)
4.5V,10V
2.3V @ 1mA
47.9nC @ 10V
3250pF @ 15V
1.7W(Ta),38W(Tc)
2.1 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V 4.8A TO-220FP
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NDF04N60ZG
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
29nC @ 10V
640pF @ 25V
30W(Tc)
2 欧姆 @ 2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 0.154A SC75-3
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NVTA7002NT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
154mA(Tj)
2.5V,4.5V
1.5V @ 100µA
-
20pF @ 5V
300mW(Tj)
7 欧姆 @ 154mA,4.5V
表面贴装
SC-75
SC-75,SOT-416
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
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NTMFS4C09NT3G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 52A SO8FL
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NTMFS4C09NT3G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW(Ta),25.5W(Tc)
5.8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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型号
NTJS3157NT1G
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11.25
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 3.2A SOT-363
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NTJS3157NT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 4.5V
500pF @ 10V
1W(Ta)
60 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
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MGSF2N02ELT1G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT-23
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MGSF2N02ELT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
3.5nC @ 4V
150pF @ 5V
1.25W(Ta)
85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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型号
NTMD4184PFR2G
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5.37
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 2.3A 8-SOIC
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NTMD4184PFR2G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.3A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
4.2nC @ 4.5V
360pF @ 10V
770mW(Ta)
95 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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NVMFS6B14NLWFT1G
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 100V 11A DFN5
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NVMFS6B14NLWFT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
3V @ 250µA
8nC @ 4.5V
1680pF @ 25V
3.8W(Ta),94W(Tc)
13 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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0.60
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2N7002ET1G
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0.60
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 60V 260MA SOT-23
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2N7002ET1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.81nC @ 5V
26.7pF @ 25V
300mW(Tj)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
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3.69
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型号
NDDL01N60ZT4G
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3.69
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V 0.8A DPAK
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NDDL01N60ZT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
800mA(Ta)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
26W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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7.56
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型号
NTMS4920NR2G
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7.56
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 10.6A 8SOIC
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NTMS4920NR2G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10.6A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
58.9nC @ 10V
4068pF @ 25V
820mW(Ta)
4.3 毫欧 @ 7.5A,10V
表面贴装
8-SOIC
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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2.46
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NTR4503NT1G
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2.46
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 1.5A SOT-23
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NTR4503NT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
250pF @ 24V
420mW(Ta)
110 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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5.04
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型号
NTTFS4939NTAG
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5.04
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 8.9A 8WDFN
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NTTFS4939NTAG
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.9A(Ta),52A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
28nC @ 10V
1979pF @ 15V
850mW(Ta),29.8W(Tc)
5.5 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
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18.93
另提供行业标准包装
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型号
NDF04N60ZH
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18.93
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 600V 4.8A TO220FP
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NDF04N60ZH
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
29nC @ 10V
640pF @ 25V
30W(Tc)
2 欧姆 @ 2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
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型号
MCH3477-TL-H
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3.33
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
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MCH3477-TL-H
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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6.30
另提供行业标准包装
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型号
NTMFS4C05NT1G
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6.30
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 30V 11.9A SO8FL
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NTMFS4C05NT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11.9A(Ta)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
14nC @ 4.5V
1972pF @ 15V
770mW(Ta),33W(Tc)
3.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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2.34
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型号
MCH3375-TL-W
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2.34
MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 P-CH 30V 1.6A MCPH3
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MCH3375-TL-W
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P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
800mW(Ta)
295 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
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MOSFET AMI FET,MOSFET - 单 N-CH 20V 2.8A SOT23
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MVSF2N02ELT1G
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N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.8A(Ta)
2.5V,4.5V
1V @ 250µA
3.5nC @ 4V
150pF @ 5V
1.25W(Ta)
85 毫欧 @ 3.6A,4.5V
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SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
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符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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sanding R13372N-23W-B21 φ133mm AC230V 32W 0.2A 后倾式离心风机 离心风机
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