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FET类型
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电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
NTR4170NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
2.5V,10V
1.4V @ 250µA
4.76nC @ 4.5V
432pF @ 15V
480mW(Ta)
55 毫欧 @ 3.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.01
自营
MCH6436-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
6A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
7.5nC @ 4.5V
710pF @ 10V
1.5W(Ta)
34 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥17.37
自营
NDD02N60Z-1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.2A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
10.1nC @ 10V
274pF @ 25V
57W(Tc)
4.8 欧姆 @ 1A,10V
通孔
I-Pak
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥3.30
自营
CPH6445-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
-
6.8nC @ 10V
310pF @ 20V
1.6W(Ta)
117 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.82
自营
NTTFS4928NTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.3A(Ta),37A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
810mW(Ta),20.8W(Tc)
9 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥100.56
自营
2SK3747-1E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2A(Ta)
10V
-
37.5nC @ 10V
380pF @ 30V
3W(Ta),50W(Tc)
13 欧姆 @ 1A,10V
通孔
TO-3PF-3
SC-94
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW(Ta)
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.41
自营
NTGS5120PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
18.1nC @ 10V
942pF @ 30V
600mW(Ta)
111 毫欧 @ 2.9A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥13.26
自营
NVTFS5811NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
16A(Ta)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
30nC @ 10V
1570pF @ 25V
3.2W(Ta),21W(Tc)
6.7 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
31 周
¥3.24
自营
NTD14N03RT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
2V @ 250µA
1.8nC @ 5V
115pF @ 20V
1.04W(Ta),20.8W(Tc)
95 毫欧 @ 5A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
SFT1452-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
10V
4.5V @ 1mA
4.2nC @ 10V
210pF @ 20V
1W(Ta), 26W(Tc)
2.4 欧姆 @ 1.5A,10V
通孔
IPAK/TP
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥43.98
自营
NTB6410ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
76A(Tc)
10V
4V @ 250µA
120nC @ 10V
4500pF @ 25V
188W(Tc)
13 毫欧 @ 76A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥3.99
自营
NTMFS4926NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9A(Ta),44A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW(Ta),21.6W(Tc)
7 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
NTD4804NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
14.5A(Ta),124A(Tc)
4.5V,11.5V
2.5V @ 250µA
40nC @ 4.5V
4490pF @ 12V
1.43W(Ta),107W(Tc)
4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.97
自营
CPH3350-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
1.8V,4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
83 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥5.31
自营
NTTFS4C13NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.2A(Ta)
4.5V,10V
2.1V @ 250µA
7.8nC @ 4.5V
770pF @ 15V
780mW(Ta),21.5W(Tc)
9.4 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥23.22
自营
NTB45N06LT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
45A(Ta)
5V
2V @ 250µA
32nC @ 5V
1700pF @ 25V
2.4W(Ta),125W(Tj)
28 毫欧 @ 22.5A,5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
40A(Ta)
4.5V,10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W(Tc)
16 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
MVGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW(Ta)
90 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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