|
NTR4170NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
- |
2.5V,10V |
1.4V @ 250µA |
4.76nC @ 4.5V |
432pF @ 15V |
480mW(Ta) |
55 毫欧 @ 3.2A,10V |
表面贴装 |
SOT-23-3(TO-236) |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
MCH6436-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
6A(Ta) |
1.8V,4.5V |
1.3V @ 1mA |
7.5nC @ 4.5V |
710pF @ 10V |
1.5W(Ta) |
34 毫欧 @ 3A,4.5V |
表面贴装 |
SC-88FL/ MCPH6 |
6-SMD,扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NDD02N60Z-1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
2.2A(Tc) |
10V |
4.5V @ 50µA |
10.1nC @ 10V |
274pF @ 25V |
57W(Tc) |
4.8 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
I-Pak |
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
CPH6445-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3.5A(Ta) |
4V,10V |
- |
6.8nC @ 10V |
310pF @ 20V |
1.6W(Ta) |
117 毫欧 @ 1.5A,10V |
表面贴装 |
6-CPH |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTTFS4928NTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
7.3A(Ta),37A(Tc) |
4.5V,10V |
2.2V @ 250µA |
16nC @ 10V |
913pF @ 15V |
810mW(Ta),20.8W(Tc) |
9 毫欧 @ 20A,10V |
表面贴装 |
8-WDFN(3.3x3.3) |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
2SK3747-1E |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
2A(Ta) |
10V |
- |
37.5nC @ 10V |
380pF @ 30V |
3W(Ta),50W(Tc) |
13 欧姆 @ 1A,10V |
通孔 |
TO-3PF-3 |
SC-94 |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
NTK3134NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
750mA(Ta) |
1.5V,4.5V |
1.2V @ 250µA |
- |
120pF @ 16V |
310mW(Ta) |
350 毫欧 @ 890mA,4.5V |
表面贴装 |
SOT-723 |
SOT-723 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
|
NTGS5120PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
1.8A(Ta) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
18.1nC @ 10V |
942pF @ 30V |
600mW(Ta) |
111 毫欧 @ 2.9A,10V |
表面贴装 |
6-TSOP |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
NVTFS5811NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
16A(Ta) |
4.5V,10V |
2.2V @ 250µA |
30nC @ 10V |
1570pF @ 25V |
3.2W(Ta),21W(Tc) |
6.7 毫欧 @ 20A,10V |
表面贴装 |
8-WDFN(3.3x3.3) |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
31 周 |
|
NTD14N03RT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
2.5A(Ta) |
4.5V,10V |
2V @ 250µA |
1.8nC @ 5V |
115pF @ 20V |
1.04W(Ta),20.8W(Tc) |
95 毫欧 @ 5A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
SFT1452-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3A(Ta) |
10V |
4.5V @ 1mA |
4.2nC @ 10V |
210pF @ 20V |
1W(Ta), 26W(Tc) |
2.4 欧姆 @ 1.5A,10V |
通孔 |
IPAK/TP |
TO-251-3 短引线,IPak,TO-251AA |
管件 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
NTB6410ANT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
76A(Tc) |
10V |
4V @ 250µA |
120nC @ 10V |
4500pF @ 25V |
188W(Tc) |
13 毫欧 @ 76A,10V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
BVSS123LT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
170mA(Ta) |
10V |
2.8V @ 1mA |
- |
20pF @ 25V |
225mW(Ta) |
6 欧姆 @ 100mA,10V |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
NTMFS4926NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9A(Ta),44A(Tc) |
4.5V,10V |
2.2V @ 250µA |
17.3nC @ 10V |
1004pF @ 15V |
920mW(Ta),21.6W(Tc) |
7 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
8-PowerTDFN,5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
NTD4804NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
14.5A(Ta),124A(Tc) |
4.5V,11.5V |
2.5V @ 250µA |
40nC @ 4.5V |
4490pF @ 12V |
1.43W(Ta),107W(Tc) |
4 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
CPH3350-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3A(Ta) |
1.8V,4.5V |
- |
4.6nC @ 4.5V |
375pF @ 10V |
1W(Ta) |
83 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTTFS4C13NTWG |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
7.2A(Ta) |
4.5V,10V |
2.1V @ 250µA |
7.8nC @ 4.5V |
770pF @ 15V |
780mW(Ta),21.5W(Tc) |
9.4 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
8-WDFN(3.3x3.3) |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
NTB45N06LT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
45A(Ta) |
5V |
2V @ 250µA |
32nC @ 5V |
1700pF @ 25V |
2.4W(Ta),125W(Tj) |
28 毫欧 @ 22.5A,5V |
表面贴装 |
D2PAK |
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
28 周 |
|
ATP206-TL-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
40A(Ta) |
4.5V,10V |
- |
27nC @ 10V |
1630pF @ 20V |
40W(Tc) |
16 毫欧 @ 20A,10V |
表面贴装 |
ATPAK |
ATPAK(2 引线 接片) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
MVGSF1N02LT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
750mA(Ta) |
4.5V,10V |
2.4V @ 250µA |
- |
125pF @ 5V |
400mW(Ta) |
90 毫欧 @ 1.2A,10V |
表面贴装 |
SOT-23-3(TO-236) |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |