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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
NTD4863NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.2A(Ta),49A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
13.5nC @ 4.5V
990pF @ 12V
1.27W(Ta),36.6W(Tc)
9.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
ATP212-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta)
4V,10V
-
34.5nC @ 10V
1820pF @ 20V
40W(Tc)
23 毫欧 @ 18A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
ATP206-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
40A(Ta)
4.5V,10V
-
27nC @ 10V
1630pF @ 20V
40W(Tc)
16 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SCH1332-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W(Ta)
95 毫欧 @ 1.5A,4.5V
表面贴装
SOT-563/SCH6
SOT-563,SOT-666
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
ATP208-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
90A(Ta)
4.5V,10V
-
83nC @ 10V
4510pF @ 20V
60W(Tc)
6 毫欧 @ 45A,10V
表面贴装
ATPAK
ATPAK(2 引线 接片)
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2N7002ET1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.81nC @ 5V
26.7pF @ 25V
300mW(Tj)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
¥0.75
自营
2V7002LT3G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
BSS138LT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
2N7002KT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
320mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
350mW(Ta)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
NTR4003NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
2N7002WT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
310mA(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW(Tj)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
NTR5105PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
196mA(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
1nC @ 5V
30.3pF @ 25V
347mW(Ta)
5 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
BSS138LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
200mA(Ta)
5V
1.5V @ 1mA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
3.5 欧姆 @ 200mA,5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
2V7002KT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
320mA(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
300mW(Tj)
1.6 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
2V7002LT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
115mA(Tc)
5V,10V
2.5V @ 250µA
-
50pF @ 25V
225mW(Ta)
7.5 欧姆 @ 500mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
26 周
BSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥1.11
自营
MMBFV170LT3G
-
-
-
-
-
-
-
-
-
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
BVSS123LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
170mA(Ta)
10V
2.8V @ 1mA
-
20pF @ 25V
225mW(Ta)
6 欧姆 @ 100mA,10V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
NTK3043NT5G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
210mA(Ta)
1.65V,4.5V
1.3V @ 250µA
-
11pF @ 10V
310mW(Ta)
3.4 欧姆 @ 10mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
NTR4003NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
2.5V,4V
1.4V @ 250µA
1.15nC @ 5V
21pF @ 5V
690mW(Ta)
1.5 欧姆 @ 10mA,4V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
35 周
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