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FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥3.30
自营
CPH6445-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
4V,10V
-
6.8nC @ 10V
310pF @ 20V
1.6W(Ta)
117 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.33
自营
CPH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
505pF @ 20V
1.6W(Ta)
78 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
9 周
¥3.33
自营
MCH3484-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
0.9V,2.5V
800mV @ 1mA
11nC @ 2.5V
630pF @ 10V
1W(Ta)
40 毫欧 @ 2A,2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥3.33
自营
MCH3477-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5A(Ta)
1.8V,4.5V
-
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W(Ta)
38 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.36
自营
CPH3455-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
1W(Ta)
104 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTR5103NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
260mA(Ta)
4.5V,10V
2.6V @ 250µA
0.81nC @ 5V
40pF @ 25V
300mW(Ta)
2.5 欧姆 @ 240mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.39
自营
NTMFS4927NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.9A(Ta),38A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
920mW(Ta),20.8W(Tc)
7.3 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.42
自营
CPH3459-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
500mA(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.4nC @ 10V
90pF @ 20V
1W(Ta)
3.7 欧姆 @ 250mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.42
自营
NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.13A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW(Tj)
200 毫欧 @ 1.95A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.42
自营
NTMFS4955NT3G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.7A(Ta),48A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW(Ta),23.2W(Tc)
6 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥3.45
自营
MCH6336-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
6.9nC @ 4.5V
660pF @ 6V
1.5W(Ta)
43 毫欧 @ 3A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
NTGS3446T1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
2.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
15nC @ 4.5V
750pF @ 10V
500mW(Ta)
45 毫欧 @ 5.1A,4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
33 周
¥3.51
自营
MCH6437-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7A(Ta)
1.8V,4.5V
1.3V @ 1mA
8.4nC @ 4.5V
660pF @ 10V
1.5W(Ta)
24 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
MVGSF1N02LT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
125pF @ 5V
400mW(Ta)
90 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTHD3101FT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Tj)
1.8V,4.5V
1.5V @ 250µA
7.4nC @ 4.5V
680pF @ 10V
1.1W(Ta)
80 毫欧 @ 3.2A,4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥3.54
自营
CPH6354-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
14nC @ 10V
600pF @ 20V
1.6W(Ta)
100 毫欧 @ 2A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW(Ta)
100 毫欧 @ 3.5A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.69
自营
NDDL01N60ZT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
800mA(Ta)
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
26W(Tc)
15 欧姆 @ 400mA,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.75
自营
NTTFS4C25NTWG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta),27A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW(Ta), 20.2W(Tc)
17 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
37 周
NTRV4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW(Ta)
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
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