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封装/外壳
包装
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¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 100V 1A CPH3
京电港自营
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CPH3462-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.4nC @ 10V
155pF @ 20V
1W（Ta）
785 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 48A SO8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4955NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9.7A（Ta），48A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.8nC @ 4.5V
1264pF @ 15V
920mW（Ta），23.2W（Tc）
6 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 100V 0.7A CPH3
京电港自营
自营
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CPH3362-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
700mA（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.7nC @ 10V
142pF @ 20V
1W（Ta）
1.7 欧姆 @ 700mA，10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.87
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 0.915A SC89-3
京电港自营
自营
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NVE4153NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
915mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.1V @ 250µA
1.82nC @ 4.5V
110pF @ 16V
300mW（Tj）
230 毫欧 @ 600mA，4.5V
表面贴装
SC-89
SC-89，SOT-490
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.90
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.2A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C10NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.2A（Ta）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
9.7nC @ 4.5V
987pF @ 15V
750mW（Ta），23.6W（Tc）
6.95 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥3.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 0.25A SOT223-4
京电港自营
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NDTL01N60ZT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
250mA（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W（Tc）
15 欧姆 @ 400mA，10V
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥3.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 0.25A SOT223-4
京电港自营
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NDTL01N60ZT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
250mA（Tc）
10V
4.5V @ 50µA
4.9nC @ 10V
92pF @ 25V
2W（Tc）
15 欧姆 @ 400mA，10V
表面贴装
SOT-223（TO-261）
TO-261-4，TO-261AA
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥3.96
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2A 6-TSOP
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NVGS3443T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.1A（Ta）
1.5V @ 250µA
15nC @ 4.5V
565pF @ 5V
-
65 毫欧 @ 4.4A，4.5V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO-8FL
京电港自营
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NTMFS4926NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW（Ta），21.6W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6442-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 27A U8FL
京电港自营
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NTTFS4C25NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta），27A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW（Ta）, 20.2W（Tc）
17 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 52A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C09NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.3A SO8FL
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NTMFS4943NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.3A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
20.9nC @ 10V
1401pF @ 15V
910mW（Ta），22.3W（Tc）
7.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.6A 6UDFN
京电港自营
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NTLUS3A90PZTAG
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.6A（Ta）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
12.3nC @ 4.5V
950pF @ 10V
600mW（Ta）
62 毫欧 @ 4A，4.5V
表面贴装
6-UDFN（1.6x1.6）
6-PowerUFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 2.5A 6-WDFN
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NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tj）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW（Ta）
70 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.05
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 2A MCPH3
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MCH3486-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
7nC @ 10V
310pF @ 20V
1W（Ta）
137 毫欧 @ 1A，10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.11
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 65A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4985NFT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
17.5A（Ta），65A（Tc）
4.5V，10V
2.3V @ 1mA
30.5nC @ 10V
2100pF @ 15V
1.63W（Ta），22.73W（Tc）
3.4 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥4.17
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
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NTMFS4C09NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.20
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 2.3A 6-WDFN
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NTLJF3117PT1G
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.3A（Ta）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
6.2nC @ 4.5V
531pF @ 10V
710mW（Ta）
100 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
6-WDFN（2x2）
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周

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