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FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
¥2.43
自营
CPH6355-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
1.6W(Ta)
169 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.43
自营
MCH3376-TL-E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
241 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
自营
NVF2201NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
300mA(Ta)
4.5V,10V
2.4V @ 250µA
-
45pF @ 5V
150mW(Ta)
1 欧姆 @ 300mA,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
5-TSSOP,SC-70-5,SOT-353
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥2.43
自营
MCH6444-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
4nC @ 10V
186pF @ 20V
800mW(Ta)
98 毫欧 @ 1.5A,10V
表面贴装
SC-88FL/ MCPH6
6-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.43
自营
MCH3376-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
1.7nC @ 4.5V
120pF @ 10V
800mW(Ta)
241 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥2.43
自营
CPH3356-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
1.8V,4.5V
1.4V @ 1mA
3.3nC @ 4.5V
250pF @ 10V
1W(Ta)
137 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.43
自营
CPH6341-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5A(Ta)
4V,10V
-
10nC @ 10V
430pF @ 10V
1.6W(Ta)
59 毫欧 @ 3A,10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型,TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥2.43
自营
MCH3475-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2nC @ 10V
88pF @ 10V
800mW(Ta)
180 毫欧 @ 900mA,10V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTR4170NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
-
2.5V,10V
1.4V @ 250µA
4.76nC @ 4.5V
432pF @ 15V
480mW(Ta)
55 毫欧 @ 3.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTS4409NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
700mA(Ta)
2.7V,4.5V
1.5V @ 250µA
1.5nC @ 4.5V
60pF @ 10V
280mW(Tj)
350 毫欧 @ 600mA,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
NTR4101PT1H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW(Ta)
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTR4171PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.2A(Ta)
2.5V,10V
1.4V @ 250µA
15.6nC @ 10V
720pF @ 15V
480mW(Ta)
75 毫欧 @ 2.2A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTR4503NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
7nC @ 10V
250pF @ 24V
420mW(Ta)
110 毫欧 @ 2.5A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTS2101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.4A(Ta)
1.8V,4.5V
700mV @ 250µA
6.4nC @ 5V
640pF @ 8V
290mW(Ta)
100 毫欧 @ 1A,4.5V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥2.52
自营
NTJS4151PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.3A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
10nC @ 4.5V
850pF @ 10V
1W(Ta)
60 毫欧 @ 3.3A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥2.55
自营
NVTR01P02LT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.3A(Ta)
2.5V,4.5V
1.25V @ 250µA
3.1nC @ 4V
225pF @ 5V
400mW(Ta)
220 毫欧 @ 750mA,4.5V
表面贴装
SOT-23-3
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥2.58
自营
CPH3360-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.6A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
2.2nC @ 10V
82pF @ 10V
900mW(Ta)
303 毫欧 @ 800mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTS4173PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.2A(Ta)
2.5V,10V
1.5V @ 250µA
10.1nC @ 10V
430pF @ 15V
290mW(Ta)
150 毫欧 @ 1.2A,10V
表面贴装
SC-70-3(SOT323)
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
21 周
¥2.61
自营
3LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
250mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥2.67
自营
6HP04CH-TL-W
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
370mA(Ta)
4V,10V
-
0.84nC @ 10V
24.1pF @ 20V
-
4.2 欧姆 @ 190mA,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
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