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供应商器件封装
封装/外壳
包装
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¥3.00
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3A MCPH3
京电港自营
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MCH3377-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4.5V
-
4.6nC @ 4.5V
375pF @ 10V
1W（Ta）
83 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
3-MCPH
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
¥5.37
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 23A 8WDFN
京电港自营
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NTTFS4930NTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta），23A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
5.5nC @ 4.5V
476pF @ 15V
790mW（Ta），20.2W（Tc）
23 毫欧 @ 6A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥25.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 600V 7.1A TO-220FP
京电港自营
自营
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NDF06N60ZG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.1A（Tc）
10V
4.5V @ 100µA
47nC @ 10V
1107pF @ 25V
35W（Tc）
1.2 欧姆 @ 3A，10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥1.86
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 0.66A SOT-723
京电港自营
自营
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NTK3139PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
660mA（Ta）
1.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
-
170pF @ 16V
310mW（Ta）
480 毫欧 @ 780mA，4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.17
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C09NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥11.76
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 37A 8WDFN
京电港自营
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NVTFS5820NLTWG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11A（Ta）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W（Ta），21W（Tc）
11.5 毫欧 @ 8.7A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥3.06
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 2.6A 6-TSOP
京电港自营
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NTGS4111PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.6A（Ta）
4.5V，10V
3V @ 250µA
32nC @ 10V
750pF @ 15V
630mW（Ta）
60 毫欧 @ 3.7A，10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥5.40
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO8FL
京电港自营
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NTMFS4C09NAT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），52A（Tc）
2.1V @ 250µA
1.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
无铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥128.07
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 1700V 2.5A
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WPH4003-1E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
2.5A（Tc）
10V
-
48nC @ 10V
850pF @ 30V
3W（Ta），55W（Tc）
10.5 欧姆 @ 1.5A，10V
通孔
TO-3PF
TO-3P-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥0.93
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 310MA SOT323
京电港自营
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2N7002WT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
310mA（Ta）
4.5V，10V
2.5V @ 250µA
0.7nC @ 4.5V
24.5pF @ 20V
280mW（Tj）
1.6 欧姆 @ 500mA，10V
表面贴装
SC-70-3（SOT323）
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
36 周
¥3.84
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 20V 4.5A MCPH3
京电港自营
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MCH3477-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5A（Ta）
1.8V，4.5V
1.3V @ 1mA
5.1nC @ 4.5V
410pF @ 10V
1W（Ta）
38 毫欧 @ 2A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥8.13
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 4.8A CHIPFET
京电港自营
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NTHS4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.8A（Tj）
1.8V，4.5V
1.5V @ 250µA
35nC @ 4.5V
2100pF @ 16V
1.3W（Ta）
34 毫欧 @ 4.8A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥2.61
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 150MA 3CP
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3LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
150mA（Ta）
1.5V，4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
250mW（Ta）
3.7 欧姆 @ 80mA，4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥5.19
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 20V 3.9A CHIPFET
京电港自营
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NTHS5441T1G
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3.9A（Ta）
2.5V，4.5V
1.2V @ 250µA
22nC @ 4.5V
710pF @ 5V
1.3W（Ta）
46 毫欧 @ 3.9A，4.5V
表面贴装
ChipFET™
8-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥20.73
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 24A DPAK
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NTD24N06T4G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
24A（Ta）
10V
4V @ 250µA
48nC @ 10V
1200pF @ 25V
1.36W（Ta），62.5W（Tj）
42 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥49.89
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 289A SO-8FL
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NTMFS5C604NLT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
38A（Ta）
4.5V，10V
2V @ 250µA
120nC @ 10V
8900pF @ 25V
3.9W（Ta），200W（Tc）
1.2 毫欧 @ 50A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
18 周
¥3.39
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 38A SO-8FL
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NTMFS4927NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
7.9A（Ta），38A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
16nC @ 10V
913pF @ 15V
920mW（Ta），20.8W（Tc）
7.3 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
¥6.54
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 11.6A SO8FL
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NTMFS4936NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
11.6A（Ta），79A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
43nC @ 10V
3044pF @ 15V
920mW（Ta），43W（Tc）
3.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥2.43
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 30V 3A CPH6
京电港自营
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CPH6355-TL-W
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
3.9nC @ 10V
172pF @ 10V
1.6W（Ta）
169 毫欧 @ 1.5A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.62
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 P-CH 12V 3A MCPH3
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MCH3374-TL-E
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
3A（Ta）
1.8V，4V
-
5.6nC @ 4.5V
405pF @ 6V
1W（Ta）
70 毫欧 @ 1.5A，4.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD，扁平引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求

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