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不同Id时的Vgs
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FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
工作温度
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
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达标情况
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¥3.99
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 25V 30V U-DFN2020-
京电港自营
自营
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DMN3016LFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
25.1nC @ 10V
1415pF @ 15V
±20V
-
2.02W（Ta）
12 毫欧 @ 11A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 9A SO-8FL
京电港自营
自营
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NTMFS4926NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta），44A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
17.3nC @ 10V
1004pF @ 15V
920mW（Ta），21.6W（Tc）
7 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥3.99
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 60V 6A CPH6
京电港自营
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CPH6442-TL-W
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
6A（Ta）
4V，10V
2.6V @ 1mA
20nC @ 10V
1040pF @ 20V
1.6W（Ta）
43 毫欧 @ 3A，10V
表面贴装
6-CPH
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 60V 115MA SOT-523
京电港自营
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DMN66D0LT-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5V，10V
2V @ 250µA
-
23pF @ 25V
±20V
-
200mW（Ta）
5 欧姆 @ 115mA，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-523
SOT-523
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 17.1A VDFN30308
京电港自营
自营
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DMT3006LDK-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
22.6nC @ 10V
1320pF @ 15V
±20V
-
1.1W（Ta）
6.5 毫欧 @ 12A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
V-DFN3030-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 8V 24V U-DFN2020-6
京电港自营
自营
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DMN2011UFDF-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.5V，4.5V
1V @ 250µA
56nC @ 10V
2248pF @ 10V
±12V
-
2.1W（Ta）
9.5 毫欧 @ 7A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 27A U8FL
京电港自营
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NTTFS4C25NTAG
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
5A（Ta），27A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
10.3nC @ 10V
500pF @ 15V
690mW（Ta）, 20.2W（Tc）
17 毫欧 @ 10A，10V
表面贴装
8-WDFN（3.3x3.3）
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 750MA DFN
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DMN3730UFB-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
950mV @ 250µA
1.6nC @ 4.5V
64.3pF @ 25V
±8V
-
470mW（Ta）
460 毫欧 @ 200mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
3-DFN
3-UFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.5A POWERDI
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DMN3025LFG-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
11.6nC @ 10V
605pF @ 15V
±20V
-
2W（Ta）
18 毫欧 @ 7.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 7.44A 8DFN
京电港自营
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DMG4800LFG-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
1.5V @ 250µA
9.47nC @ 5V
798pF @ 10V
±25V
-
940mW（Ta）
17 毫欧 @ 9A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN3030-8
8-PowerUDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 400MA SC70-3
京电港自营
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DMP2004WK-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
175pF @ 16V
±8V
-
250mW（Ta）
900 毫欧 @ 430mA，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 6.6A TSOT26
京电港自营
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DMN3026LVTQ-7
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2V @ 250µA
12.5nC @ 10V
643pF @ 15V
±20V
-
1.2W（Ta）
23 毫欧 @ 6.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
TSOT-26
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET N-CH 30V 9.8A 8SO
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DMS3016SSS-13
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
2.3V @ 250µA
43nC @ 10V
1849pF @ 15V
±12V
肖特基二极管（体）
1.54W（Ta）
13 毫欧 @ 9.8A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
8-SO
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET BVDSS: 41V 60V U-DFN2020-
京电港自营
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DMP6110SFDF-7
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
17.2nC @ 10V
969pF @ 30V
±20V
-
1.97W（Ta）
110 毫欧 @ 4.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6 (Type F)
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 52A SO8FL
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NTMFS4C09NT3G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
9A（Ta）
4.5V，10V
2.1V @ 250µA
10.9nC @ 4.5V
1252pF @ 15V
760mW（Ta），25.5W（Tc）
5.8 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 3.5A 6-DFN
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DMS2220LFDB-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1.3V @ 250µA
-
632pF @ 10V
±12V
肖特基二极管（隔离式）
1.4W（Ta）
95 毫欧 @ 2.8A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
U-DFN2020-6（B 类）
6-UDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 1.5A SC70-3
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DMP2240UWQ-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
-
320pF @ 16V
±12V
-
250mW（Ta）
150 毫欧 @ 2A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
SOT-323
SC-70，SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.02
MOSFET AMI FET，MOSFET - 单 N-CH 30V 8.3A SO8FL
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NTMFS4943NT1G
-
N 沟道
MOSFET（金属氧化物）
8.3A（Ta），41A（Tc）
4.5V，10V
2.2V @ 250µA
20.9nC @ 10V
1401pF @ 15V
910mW（Ta），22.3W（Tc）
7.2 毫欧 @ 30A，10V
表面贴装
5-DFN（5x6）（8-SOFL）
8-PowerTDFN，5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 20V 2.5A 3-DFN
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DMP2069UFY4-7
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
1.8V，4.5V
1V @ 250µA
9.1nC @ 4.5V
214pF @ 10V
±8V
-
530mW（Ta）
54 毫欧 @ 2.5A，4.5V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
DFN2015H4-3
3-XFDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周
¥4.02
Diodes 晶体管-FET，MOSFET-单 MOSFET P-CH 30V 11.5A PWRDI3333
京电港自营
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DMP3017SFG-13
-
P 沟道
MOSFET（金属氧化物）
4.5V，10V
3V @ 250µA
41nC @ 10V
2246pF @ 15V
±25V
-
940mW（Ta）
10 毫欧 @ 11.5A，10V
-55°C ~ 150°C（TJ）
表面贴装
PowerDI3333-8
8-PowerWDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
16 周

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