|
|
NTD3055-150T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Ta） |
10V |
4V @ 250µA |
15nC @ 10V |
280pF @ 25V |
1.5W（Ta），28.8W（Tj） |
150 毫欧 @ 4.5A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
NVD3055L170T4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9A（Ta） |
5V |
2V @ 250µA |
10nC @ 5V |
275pF @ 25V |
1.5W（Ta），28.5W（Tj） |
170 毫欧 @ 4.5A，5V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
13 周 |
|
|
NTNS3190NZT5G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
224mA（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
0.7nC @ 4.5V |
15.8pF @ 15V |
120mW（Ta） |
1.4 欧姆 @ 100mA，4.5V |
表面贴装 |
3-XLLGA（0.62x0.62） |
3-XFDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
|
NTTFS4928NTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.3A（Ta），37A（Tc） |
4.5V，10V |
2.2V @ 250µA |
16nC @ 10V |
913pF @ 15V |
810mW（Ta），20.8W（Tc） |
9 毫欧 @ 20A，10V |
表面贴装 |
8-WDFN（3.3x3.3） |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
|
SVD5867NLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
22A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
15nC @ 10V |
675pF @ 25V |
3.3W（Ta），43W（Tc） |
39 毫欧 @ 11A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
|
NTMS4801NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
7.5A（Ta） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 10V |
2201pF @ 25V |
800mW（Ta） |
9 毫欧 @ 12A，10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC（0.154"，3.90mm 宽） |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
|
NTLJS4114NT1G |
|
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.6A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1V @ 250µA |
13nC @ 4.5V |
650pF @ 15V |
700mW（Ta） |
35 毫欧 @ 2A，4.5V |
表面贴装 |
6-WDFN（2x2） |
6-WDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
17 周 |
|
|
NTLUS3A18PZTAG |
|
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
5.1A（Ta） |
1.5V，4.5V |
1V @ 250µA |
28nC @ 4.5V |
2240pF @ 15V |
700mW（Ta） |
18 毫欧 @ 7A，4.5V |
表面贴装 |
6-UDFN（2x2） |
6-UDFN 裸露焊盘 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
31 周 |
|
|
NVD5807NT4G-VF01 |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
23A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
20nC @ 10V |
603pF @ 25V |
33W（Tc） |
31 毫欧 @ 5A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
|
NTD4863NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
9.2A（Ta），49A（Tc） |
4.5V，10V |
2.5V @ 250µA |
13.5nC @ 4.5V |
990pF @ 12V |
1.27W（Ta），36.6W（Tc） |
9.3 毫欧 @ 30A，10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3，DPak（2 引线 接片），SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
|
|
|
CPH6354-TL-W |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
14nC @ 10V |
600pF @ 20V |
1.6W（Ta） |
100 毫欧 @ 2A，10V |
表面贴装 |
6-CPH |
SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
16 周 |
|
|
NTHD3101FT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.2A（Tj） |
1.8V，4.5V |
1.5V @ 250µA |
7.4nC @ 4.5V |
680pF @ 10V |
1.1W（Ta） |
80 毫欧 @ 3.2A，4.5V |
表面贴装 |
ChipFET™ |
8-SMD，扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
21 周 |
|
|
PCP1403-TD-H |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
4.5A（Ta） |
4V，10V |
2.6V @ 1mA |
6.7nC @ 10V |
310pF @ 20V |
3.5W（Tc） |
117 毫欧 @ 2A，10V |
表面贴装 |
SOT-89/PCP-1 |
TO-243AA |
剪切带（CT） |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
12 周 |
|
|
NVTR01P02LT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.3A（Ta） |
2.5V，4.5V |
1.25V @ 250µA |
3.1nC @ 4V |
225pF @ 5V |
400mW（Ta） |
220 毫欧 @ 750mA，4.5V |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTA4151PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
760mA（Tj） |
1.8V，4.5V |
450mV @ 250µA |
2.1nC @ 4.5V |
156pF @ 5V |
301mW（Tj） |
360 毫欧 @ 350mA，4.5V |
表面贴装 |
SC-75，SOT-416 |
SC-75，SOT-416 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
35 周 |
|
|
NTS2101PT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.4A（Ta） |
1.8V，4.5V |
700mV @ 250µA |
6.4nC @ 5V |
640pF @ 8V |
290mW（Ta） |
100 毫欧 @ 1A，4.5V |
表面贴装 |
SC-70-3（SOT323） |
SC-70，SOT-323 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
36 周 |
|
|
NTR4101PT1H |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.8A（Ta） |
1.8V，4.5V |
1.2V @ 250µA |
8.5nC @ 4.5V |
675pF @ 10V |
420mW（Ta） |
85 毫欧 @ 1.6A，4.5V |
表面贴装 |
SOT-23-3 |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NVTR4503NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
1.5A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
7nC @ 10V |
135pF @ 15V |
420mW（Ta） |
110 毫欧 @ 2.5A，10V |
表面贴装 |
SOT-23-3（TO-236） |
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTGS4141NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
3.5A（Ta） |
4.5V，10V |
3V @ 250µA |
12nC @ 10V |
560pF @ 24V |
500mW（Ta） |
25 毫欧 @ 7A，10V |
表面贴装 |
6-TSOP |
SOT-23-6 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
|
NTNUS3171PZT5G |
- |
P 沟道 |
MOSFET（金属氧化物） |
150mA（Ta） |
1.2V，4.5V |
1V @ 250µA |
- |
13pF @ 15V |
125mW（Ta） |
3.5 欧姆 @ 100mA，4.5V |
表面贴装 |
SOT-1123 |
SOT-1123 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
8 周 |
