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电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）
电流 - 集电极截止（最大值）
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
原厂标准交货期
系列
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib，Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic，Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
原产地
¥2.22
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT563
京电港自营
自营
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DCX142TH-7
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
470
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
-
200MHz
200mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥2.40
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTD114EKT146
NPN - 预偏压
50V
56 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3
京电港自营
自营
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DTC114TUAT106
NPN - 预偏压
50V
100 @ 1mA，5V
300mV @ 1mA，10mA
500nA（ICBO）
250MHz
200mW
UMT3
SC-70，SOT-323
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3F
京电港自营
自营
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DTC143XUBTL
NPN - 预偏压
50V
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
UMT3F
SC-85
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥5.97
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 50V 0.2W UMT3F
京电港自营
自营
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DTA015EUBTL
PNP - 预偏压
50V
80 @ 5mA，10V
150mV @ 500µA，5mA
-
250MHz
200mW
UMT3F
SC-85
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥8.52
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
京电港自营
自营
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DTA144EETL
PNP - 预偏压
50V
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
EMT3
SC-75，SOT-416
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥10.83
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS 2NPN PREBIAS 0.15W SOT563
京电港自营
自营
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DDC144TH-7-F
2 个 NPN 预偏压式（双）
50V
47k
-
100 @ 1mA，5V
300mV @ 100µA，1mA
500nA（ICBO）
250MHz
150mW
SOT-563
SOT-563，SOT-666
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
询价
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 20V 2.5A 8MSOP
京电港自营
自营
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ZXT12P20DXTA
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
2.5A
20V
200mV @ 125mA，2.5A
100nA
300 @ 1A，2V
1.04W
110MHz
-
¥0.69
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 65V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
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BC856BDW1T3G
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
100mA
65V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
-
¥0.75
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW SMT3
京电港自营
自营
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DTC123JKAT146
NPN - 预偏压
50V
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
SMT3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.11
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 150MW VMT3
京电港自营
自营
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DTA124XMT2L
PNP - 预偏压
50V
68 @ 5mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
150mW
VMT3
SOT-723
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.38
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS PNP 150MW EMT3
京电港自营
自营
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DTA143ZETL
PNP - 预偏压
50V
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
150mW
EMT3
SC-75，SOT-416
定制卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥1.80
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列-预偏置 TRANS PREBIAS NPN/PNP SOT363
京电港自营
自营
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DCX143ZU-7-F
1 个 NPN，1 个 PNP - 预偏压式（双）
50V
4.7k
47k
80 @ 10mA，5V
300mV @ 250µA，5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP，SC-88，SOT-363
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥3.66
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT363
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
NST45010MW6T1G
2 PNP（双）配对
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
-
100mA
45V
650mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
220 @ 2mA，5V
380mW
100MHz
-
¥4.47
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 200MW UMT3F
京电港自营
自营
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DTC143EUBTL
NPN - 预偏压
50V
30 @ 10mA，5V
300mV @ 500µA，10mA
500nA
250MHz
200mW
UMT3F
SC-85
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥4.95
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS NPN/PNP 80V/50V 2A 5CPH
京电港自营
自营
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CPH5520-TL-E
NPN，PNP（耦合发射器）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
-
2A
80V，50V
260mV @ 50mA，1A
1µA（ICBO）
200 @ 100mA，2V
1.2W
420MHz
-
¥7.23
PNP -500MA/-50V DIGITAL TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置IST
京电港自营
自营
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DTB123ECT116
PNP - 预偏压
50V
39 @ 50mA，5V
300mV @ 2.5mA，50mA
500nA
200MHz
200mW
SST3
TO-236-3，SC-59，SOT-23-3
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥9.69
Diodes 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 45V 0.1A SOT963
京电港自营
自营
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DST857BDJ-7
2 PNP（双）
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
-
100mA
45V
500mV @ 5mA，100mA
15nA（ICBO）
200 @ 2mA，5V
300mW
340MHz
-
¥15.57
TRANS LAPIS 晶体管-双极(BJT)-单，预偏置 PREBIAS NPN 1.5W MPT3
京电港自营
自营
收藏 加入购物车
DTDG23YPT100
NPN - 预偏压
60V
300 @ 500mA，2V
400mV @ 5mA，500mA
500nA
80MHz
1.5W
MPT3
TO-243AA
剪切带（CT）
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
询价
AMI 晶体管-双极(BJT)-阵列 TRANS 2PNP 40V 0.2A SOT363
京电港自营
自营
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MBT3906DW1T1
2 PNP（双）
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
200mA
40V
400mV @ 5mA，50mA
-
100 @ 10mA，1V
150mW
250MHz
-

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