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原产地
¥37.98
Infineon IRGSL6B60KDPBF N沟道 IGBT, 18 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 I2PAK (TO-262)封装
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IRGSL6B60KDPBF
18 A
±20V
-
90 W
I2PAK (TO-262)
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
4.83mm
11.3mm
-
¥60.00
ON Semiconductor NGTB15N120IHWG N沟道 IGBT, 30 A, Vce=1200 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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NGTB15N120IHWG
30 A
±20V
-
278 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
16.25mm
5.3mm
21.4mm
-
¥553.53
IXYS IXYN82N120C3 N沟道 IGBT, 120 A, Vce=1200 V, 20 - 50kHz, 4引脚 SOT-227B封装
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IXYN82N120C3
120 A
±20V
-
600 W
SOT-227B
表面贴装
N
4
20 → 50kHz
单
38.23mm
25.07mm
9.6mm
-
¥72.60
Infineon IRG4PC30UDPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 3引脚 TO-247AC封装
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IRG4PC30UDPBF
23 A
±20V
-
-
TO-247AC
通孔
N
3
-
单
15.9mm
5.3mm
20.3mm
-
¥30.90
Infineon IRGB4615DPBF N沟道 IGBT, 23 A, Vce=600 V, 8 - 30kHz, 3引脚 TO-220AB封装
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IRGB4615DPBF
23 A
±30V
-
99 W
TO-220AB
通孔
N
3
8 → 30kHz
单
10.67mm
4.83mm
16.51mm
-
¥122.19
IXYS IXGT30N120B3D1 IGBT, 50 A, Vce=1200 V, 3引脚 TO-268封装
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IXGT30N120B3D1
50 A
-
-
-
TO-268
表面贴装
-
3
-
单
16.05mm
14mm
5.1mm
-
¥59.04
Infineon IRGS30B60KPBF N沟道 IGBT, 78 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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IRGS30B60KPBF
78 A
±20V
-
370 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.67mm
4.83mm
11.3mm
-
¥69.33
STMicroelectronics STGW40V60F N沟道 IGBT, 40 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-247封装
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STGW40V60F
40 A
±20V
-
283 W
TO-247
通孔
N
3
1MHz
单
15.75mm
5.15mm
20.15mm
-
¥25.86
STMicroelectronics STGB7H60DF N沟道 IGBT, 14 A, Vce=600 V, 3引脚 D2PAK (TO-263)封装
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STGB7H60DF
14 A
±20V
-
88 W
D2PAK (TO-263)
表面贴装
N
3
-
单
10.4mm
9.35mm
4.6mm
-
¥108.09
Infineon IRGP4263PBF N沟道 IGBT, 60 A, Vce=650 V, 20kHz, 3引脚 TO-247AC封装
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IRGP4263PBF
60 A
±20V
-
278 W
TO-247AC
通孔
N
3
20kHz
单
16.13mm
5.2mm
21.1mm
-
¥53.07
STMicroelectronics STGP20NC60V N沟道 IGBT, 60 A, Vce=600 V, 1MHz, 3引脚 TO-220封装
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STGP20NC60V
60 A
±20V
-
200 W
TO-220
通孔
N
3
1MHz
单
10.4mm
4.6mm
15.75mm
-

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