|
NTMFS4C08NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9A(Ta),52A(Tc) |
4.5V,10V |
2.1V @ 250µA |
18.2nC @ 10V |
1113pF @ 15V |
760mW(Ta),25.5W(Tc) |
5.8 毫欧 @ 18A,10V |
表面贴装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
NTMFS4939NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9.3A(Ta),53A(Tc) |
4.5V,10V |
2.2V @ 250µA |
28.5nC @ 10V |
1954pF @ 15V |
920mW(Ta),30W(Tc) |
5.5 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
8-PowerTDFN,5 引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
NTTFS5820NLTAG |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
11A(Ta),37A(Tc) |
4.5V,10V |
2.3V @ 250µA |
28nC @ 10V |
1462pF @ 25V |
2.7W(Ta),33W(Tc) |
11.5 毫欧 @ 8.7A,10V |
表面贴装 |
8-WDFN(3.3x3.3) |
8-PowerWDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
23 周 |
|
NTMFS4C05NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
11.9A(Ta) |
4.5V,10V |
2.2V @ 250µA |
14nC @ 4.5V |
1972pF @ 15V |
770mW(Ta),33W(Tc) |
3.4 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
NTF3055-100T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3A(Ta) |
10V |
4V @ 250µA |
22nC @ 10V |
455pF @ 25V |
1.3W(Ta) |
110 毫欧 @ 1.5A,10V |
表面贴装 |
SOT-223(TO-261) |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
27 周 |
|
NTF3055L108T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3A(Ta) |
5V |
2V @ 250µA |
15nC @ 5V |
440pF @ 25V |
1.3W(Ta) |
120 毫欧 @ 1.5A,5V |
表面贴装 |
SOT-223 |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
34 周 |
|
NTMS4816NR2G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
6.8A(Ta) |
4.5V,10V |
3V @ 250µA |
18.3nC @ 10V |
1060pF @ 25V |
780mW(Ta) |
10 毫欧 @ 9A,10V |
表面贴装 |
8-SOIC |
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽) |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
5 周 |
|
NTD3055L170T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9A(Ta) |
5V |
2V @ 250µA |
10nC @ 5V |
275pF @ 25V |
1.5W(Ta),28.5W(Tj) |
170 毫欧 @ 4.5A,5V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
1HN04CH-TL-W |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
270mA(Ta) |
4V,10V |
2.6V @ 100µA |
0.9nC @ 10V |
15pF @ 20V |
- |
8 欧姆 @ 140mA,10V |
表面贴装 |
3-CPH |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTD3055L104T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
12A(Ta) |
5V |
2V @ 250µA |
20nC @ 5V |
440pF @ 25V |
1.5W(Ta),48W(Tj) |
104 毫欧 @ 6A,5V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NTD3055-094T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
12A(Ta) |
10V |
4V @ 250µA |
20nC @ 10V |
450pF @ 25V |
1.5W(Ta),48W(Tj) |
94 毫欧 @ 6A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
NDT02N40T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
400mA(Tc) |
10V |
2V @ 250µA |
5.5nC @ 10V |
121pF @ 25V |
2W(Tc) |
5.5 欧姆 @ 220mA,10V |
表面贴装 |
SOT-223(TO-261) |
TO-261-4,TO-261AA |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
25 周 |
|
NTD4858NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
11.2A(Ta),73A(Tc) |
4.5V,10V |
2.5V @ 250µA |
19.2nC @ 4.5V |
1563pF @ 12V |
1.3W(Ta),54.5W(Tc) |
6.2 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
45 周 |
|
NTR3A30PZT1G |
- |
P 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
3A(Ta) |
1.8V,4.5V |
1V @ 250µA |
17.6nC @ 4.5V |
1651pF @ 15V |
480mW(Ta) |
38 毫欧 @ 3A,4.5V |
表面贴装 |
SOT-23-3(TO-236) |
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
30 周 |
|
NTD4809NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
9.6A(Ta),58A(Tc) |
4.5V,11.5V |
2.5V @ 250µA |
25nC @ 11.5V |
1456pF @ 12V |
1.4W(Ta),52W(Tc) |
9 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |
|
NDD02N40T4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
1.7A(Tc) |
10V |
2V @ 250µA |
5.5nC @ 10V |
121pF @ 25V |
39W(Tc) |
5.5 欧姆 @ 220mA,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
2 周 |
|
NTHS5404T1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
5.2A(Ta) |
2.5V,4.5V |
600mV @ 250µA |
18nC @ 4.5V |
- |
1.3W(Ta) |
30 毫欧 @ 5.2A,4.5V |
表面贴装 |
ChipFET™ |
8-SMD,扁平引线 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
20 周 |
|
NTMFS4C13NT1G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
7.2A(Ta),38A(Tc) |
4.5V,10V |
2.1V @ 250µA |
15.2nC @ 10V |
770pF @ 15V |
750mW(Ta) |
9.1 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
5-DFN(5x6)(8-SOFL) |
8-PowerTDFN |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
29 周 |
|
NTD5867NLT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
20A(Tc) |
4.5V,10V |
2.5V @ 250µA |
15nC @ 10V |
675pF @ 25V |
36W(Tc) |
39 毫欧 @ 10A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
6 周 |
|
NTD4965NT4G |
- |
N 沟道 |
MOSFET(金属氧化物) |
13A(Ta),68A(Tc) |
4.5V,10V |
2.5V @ 250µA |
17.2nC @ 4.5V |
1710pF @ 15V |
1.39W(Ta),38.5W(Tc) |
4.7 毫欧 @ 30A,10V |
表面贴装 |
DPAK |
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63 |
标准卷带 |
- |
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求 |
4 周 |