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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
原厂标准交货期
¥14.43
自营
MCH3383-TL-H
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.5A(Ta)
0.9V,2.5V
800mV @ 1mA
6.2nC @ 2.5V
1010pF @ 6V
1W(Ta)
69 毫欧 @ 1.5A,2.5V
表面贴装
SC-70FL/MCPH3
3-SMD,扁平引线
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTD4909NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.8A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
17.5nC @ 10V
1314pF @ 15V
1.37W(Ta),29.4W(Tc)
8 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
¥4.44
自营
NTD4969NT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
9.4A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
9nC @ 4.5V
837pF @ 15V
1.38W(Ta),26.3W(Tc)
9 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
DPAK
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
¥4.20
自营
NTLJF3117PT1G
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.3A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
6.2nC @ 4.5V
531pF @ 10V
710mW(Ta)
100 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
¥4.05
自营
NTLJF4156NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Tj)
1.5V,4.5V
1V @ 250µA
6.5nC @ 4.5V
427pF @ 15V
710mW(Ta)
70 毫欧 @ 2A,4.5V
表面贴装
6-WDFN(2x2)
6-WDFN 裸露焊盘
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
¥4.02
自营
NTMFS4943NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
8.3A(Ta),41A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
20.9nC @ 10V
1401pF @ 15V
910mW(Ta),22.3W(Tc)
7.2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
¥3.84
自营
CPH3462-TL-W
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
3.4nC @ 10V
155pF @ 20V
1W(Ta)
785 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
3-CPH
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NTRV4101PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.8A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
8.5nC @ 4.5V
675pF @ 10V
420mW(Ta)
85 毫欧 @ 1.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTGS3455T1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
2.5A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
13nC @ 10V
480pF @ 5V
500mW(Ta)
100 毫欧 @ 3.5A,10V
表面贴装
6-TSOP
SOT-23-6
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥3.42
自营
NVTR4502PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.13A(Ta)
4.5V,10V
3V @ 250µA
10nC @ 10V
200pF @ 15V
400mW(Tj)
200 毫欧 @ 1.95A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥11.25
自营
NTJS3157NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1V @ 250µA
15nC @ 4.5V
500pF @ 10V
1W(Ta)
60 毫欧 @ 4A,4.5V
表面贴装
SC-88/SC70-6/SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NTR4501NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
3.2A(Ta)
1.8V,4.5V
1.2V @ 250µA
6nC @ 4.5V
200pF @ 10V
1.25W(Tj)
80 毫欧 @ 3.6A,4.5V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
NTK3134NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
750mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
120pF @ 16V
310mW(Ta)
350 毫欧 @ 890mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
8 周
NTR0202PLT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
400mA(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
2.18nC @ 10V
70pF @ 5V
225mW(Ta)
800 毫欧 @ 200mA,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
¥2.07
自营
NTR5198NLT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
1.7A(Ta)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
2.8nC @ 4.5V
182pF @ 25V
900mW(Ta)
155 毫欧 @ 1A,10V
表面贴装
SOT-23-3(TO-236)
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
30 周
¥96.72
自营
NGTB15N120FLWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
1200V
30A
120A
2.2V @ 15V,15A
156W
1.17mJ(开),550µJ(关)
标准
72ns/168ns
600V,15A,10 欧姆,15V
¥1.95
自营
5LN01C-TB-E
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.57nC @ 10V
6.6pF @ 10V
250mW(Ta)
7.8 欧姆 @ 50mA,4V
表面贴装
3-CP
TO-236-3,SC-59,SOT-23-3
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
NTK3139PT1G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
660mA(Ta)
1.5V,4.5V
1.2V @ 250µA
-
170pF @ 16V
310mW(Ta)
480 毫欧 @ 780mA,4.5V
表面贴装
SOT-723
SOT-723
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NGTG30N60FWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
沟道
600V
60A
120A
1.7V @ 15V,30A
167W
650µJ(开),650µJ(关)
标准
81ns/190ns
400V,30A,10 欧姆,15V
13 周
¥1.77
自营
3LN01M-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
150mA(Ta)
1.5V,4V
-
1.58nC @ 10V
7pF @ 10V
150mW(Ta)
3.7 欧姆 @ 80mA,4V
表面贴装
SC-70 / MCPH3
SC-70,SOT-323
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
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