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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
晶体管类型
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
MJH11017G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
150V
15A
150W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP - 达林顿
4V @ 150mA,15A
1mA
400 @ 10A,5V
3MHz
¥76.62
自营
NGTB20N120IHWG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
46 周
沟槽型场截止
1200V
40A
80A
2.65V @ 15V,20A
341W
480µJ(关)
标准
-/170ns
600V,20A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
MJE4343G
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
160V
16A
125W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
3.5V @ 2A,16A
750µA
15 @ 8A,2V
1MHz
MJW3281AG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
230V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
2V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
50 @ 7A,5V
30MHz
MJW1302AG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
11 周
230V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
2V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
50 @ 7A,5V
30MHz
¥79.86
自营
NGTB30N60L2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
-
600V
100A
60A
1.6V @ 15V,30A
225W
310µJ(开),1.14mJ(关)
标准
100ns/390ns
300V,30A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
¥81.24
自营
NGTG25N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
沟槽型场截止
1200V
50A
100A
2.4V @ 15V,25A
385W
1.95mJ(开),600µJ(关)
标准
87ns/179ns
600V,25A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
¥81.63
自营
BMS3003-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
78A(Ta)
4V,10V
-
285nC @ 10V
13200pF @ 20V
2W(Ta),40W(Tc)
6.5 毫欧 @ 39A,10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
BMS3004-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
68A(Ta)
4V,10V
-
300nC @ 10V
13400pF @ 20V
2W(Ta),40W(Tc)
8.5 毫欧 @ 34A,10V
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
¥82.62
自营
NGTB30N120IHRWG
-
通孔
TO-247
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
14 周
沟槽型场截止
1200V
60A
120A
2.5V @ 15V,30A
384W
700µJ(关)
标准
-/230ns
600V,30A,10 欧姆,15V
-40°C ~ 175°C(TJ)
MJL1302AG
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
3V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
75 @ 5A,5V
30MHz
MJL3281AG
-
通孔
TO-264
TO-264-3,TO-264AA
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
260V
15A
200W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
3V @ 1A,10A
50µA(ICBO)
75 @ 5A,5V
30MHz
¥86.67
自营
NTMFS6B03NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
19A(Ta),132A(Tc)
6V,10V
4V @ 250µA
58nC @ 10V
4200pF @ 50V
3.4W(Ta),165W(Tc)
4.8 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥86.82
自营
SMP3003-TL-1E
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
100A(Ta)
4V,10V
-
280nC @ 10V
13400pF @ 20V
90W(Tc)
8 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
D²PAK(TO-263)
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
¥87.72
自营
NGTB45N60SWG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
沟槽型场截止
600V
90A
180A
2.4V @ 15V,45A
250W
550µJ(关)
标准
70ns/144ns
400V,45A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 150°C(TJ)
2N3771G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
12 周
40V
30A
150W
-65°C ~ 200°C(TJ)
NPN
4V @ 6A,30A
10mA
15 @ 15A,4V
200kHz
¥88.17
自营
NGTB25N120FL2WG
-
通孔
TO-247-3
TO-247-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
20 周
场截止
1200V
50A
100A
2.4V @ 15V,25A
385W
1.95mJ(开),600µJ(关)
标准
87ns/179ns
600V,25A,10 欧姆,15V
-55°C ~ 175°C(TJ)
MJ802G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
15 周
90V
30A
200W
-65°C ~ 200°C(TJ)
NPN
800mV @ 750mA,7.5A
1mA(ICBO)
25 @ 7.5A,2V
2MHz
2N5886G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
80V
25A
200W
-65°C ~ 200°C(TJ)
NPN
4V @ 6.25A,25A
2mA
20 @ 10A,4V
4MHz
2N3773G
-
通孔
TO-3
TO-204AA,TO-3
托盘
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
140V
16A
150W
-65°C ~ 200°C(TJ)
NPN
1.4V @ 800mA,8A
10mA
15 @ 8A,4V
-
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