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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
IGBT类型
电压集射极击穿
电流集电极
脉冲电流
不同Vge,Ic时Vce
功率最大值
开关能量
输入类型
25°C 时Td值
测试条件
工作温度
晶体管类型
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
频率跃迁
BUL45D2G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
400V
5A
75W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
500mV @ 400mA,2A
100µA
10 @ 2A,1V
13MHz
NDF06N60ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
7.1A(Tc)
10V
4.5V @ 100µA
47nC @ 10V
1107pF @ 25V
35W(Tc)
1.2 欧姆 @ 3A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥25.17
自营
NTMFS5C430NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
35A(Ta),185A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
10nC @ 10V
3300pF @ 25V
3.8W(Ta), 106W(Tc)
1.7 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
BU406G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
200V
7A
60W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
1V @ 500mA,5A
5mA
-
10MHz
¥26.28
自营
NVMFS6B14NLWFT1G
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),55A(Tc)
4.5V,10V
3V @ 250µA
8nC @ 4.5V
1680pF @ 25V
3.8W(Ta),94W(Tc)
13 毫欧 @ 20A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥26.37
自营
NGTB15N60R2FG
-
通孔
TO-220F-3FS
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
600V
24A
60A
2.1V @ 15V,15A
54W
550µJ(开),220µJ(关)
标准
70ns/190ns
300V,15A,30 欧姆,15V
175°C(TJ)
MJB45H11G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
10A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
PNP
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
40MHz
MJB44H11G
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
80V
10A
2W
-55°C ~ 150°C(TJ)
NPN
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
50MHz
BUV26G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
90V
20A
85W
-65°C ~ 175°C(TJ)
NPN
1.5V @ 1.2A,12A
-
-
-
NGTB10N60FG
-
通孔
TO-220F-3FS
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
-
600V
20A
72A
1.7V @ 15V,10A
40W
-
标准
40ns/145ns
300V,10A,30 欧姆,15V
150°C(TJ)
MJF31CG
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5 周
100V
3A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
1.2V @ 375mA,3A
300µA
10 @ 3A,4V
3MHz
¥27.96
自营
NTB6413ANT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
42A(Tc)
10V
4V @ 250µA
51nC @ 10V
1800pF @ 25V
136W(Tc)
28 毫欧 @ 42A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
25 周
MJE5731AG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
375V
1A
40W
-65°C ~ 150°C(TJ)
PNP
1V @ 200mA,1A
1mA
30 @ 300mA,10V
10MHz
MJB41CG
-
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
100V
6A
2W
-65°C ~ 150°C(TJ)
NPN
1.5V @ 600mA,6A
700µA
15 @ 3A,4V
3MHz
¥30.00
自营
NVTFS5820NLTAG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta)
4.5V,10V
2.3V @ 250µA
28nC @ 10V
1462pF @ 25V
3.2W(Ta),21W(Tc)
11.5 毫欧 @ 8.7A,10V
表面贴装
8-WDFN(3.3x3.3)
8-PowerWDFN
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
NDF11N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
12A(Tc)
10V
4.5V @ 100µA
69nC @ 10V
1645pF @ 25V
39W(Tc)
520 毫欧 @ 4.5A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
34 周
¥30.57
自营
NTMFS5C426NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
41A(Ta), 235A(Tc)
10V
3.5V @ 250µA
13nC @ 10V
4300pF @ 25V
3.8W(Ta), 128W(Tc)
1.3 毫欧 @ 50A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
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