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产品型号
系列
FET类型
技术
电流连续漏极
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
安装类型
供应商器件封装
封装/外壳
包装
原产地
达标情况
原厂标准交货期
晶体管类型
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
工作温度
2N6487G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
10 周
NPN
15A
60V
3.5V @ 5A,15A
1mA
20 @ 5A,4V
1.8W
5MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
¥22.08
自营
SFT1446-TL-H
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
20A(Ta)
4V,10V
2.6V @ 1mA
16nC @ 10V
750pF @ 20V
1W(Ta),23W(Tc)
51 毫欧 @ 10A,10V
表面贴装
TP-FA
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
剪切带(CT)
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
D44H8G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
NPN
10A
60V
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
2W
50MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
D45VH10G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
13 周
PNP
15A
80V
1V @ 800mA,8A
-
20 @ 4A,1V
83W
50MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
BD809G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NPN
10A
80V
1.1V @ 300mA,3A
1mA(ICBO)
15 @ 4A,2V
90W
1.5MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
D44H11G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
23 周
NPN
10A
80V
1V @ 400mA,8A
10µA
40 @ 4A,1V
2W
50MHz
-55°C ~ 150°C(TJ)
¥22.56
自营
NDF05N50ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
5.5A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
28nC @ 10V
632pF @ 25V
30W(Tc)
1.5 欧姆 @ 2.2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
4 周
NDF04N60ZG
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.8A(Tc)
10V
4.5V @ 50µA
29nC @ 10V
640pF @ 25V
30W(Tc)
2 欧姆 @ 2A,10V
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
¥22.59
自营
NTMFS4934NT1G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
17.1A(Ta),147A(Tc)
4.5V,10V
2.2V @ 250µA
34nC @ 4.5V
5505pF @ 15V
930mW(Ta),69.44W(Tc)
2 毫欧 @ 30A,10V
表面贴装
5-DFN(5x6)(8-SOFL)
8-PowerTDFN,5 引线
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
29 周
2N6490G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
17 周
PNP
15A
60V
3.5V @ 5A,15A
1mA
20 @ 5A,4V
1.8W
5MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
BD244CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
7 周
PNP
6A
100V
1.5V @ 1A,6A
700µA
15 @ 3A,4V
65W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
BD243CG
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
6 周
NPN
6A
100V
1.5V @ 1A,6A
700µA
15 @ 3A,4V
65W
3MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
¥22.95
自营
NTB25P06T4G
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
27.5A(Ta)
10V
4V @ 250µA
50nC @ 10V
1680pF @ 25V
120W(Tj)
82 毫欧 @ 25A,10V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
MJF127G
-
通孔
TO-220FP
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
PNP - 达林顿
5A
100V
3.5V @ 20mA,5A
10µA
2000 @ 3A,3V
2W
-
-65°C ~ 150°C(TJ)
¥23.22
自营
NTB45N06LT4G
-
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
45A(Ta)
5V
2V @ 250µA
32nC @ 5V
1700pF @ 25V
2.4W(Ta),125W(Tj)
28 毫欧 @ 22.5A,5V
表面贴装
D2PAK
TO-263-3,D²Pak(2 引线 接片),TO-263AB
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
28 周
¥24.09
自营
NVD5117PLT4G-VF01
-
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
11A(Ta),61A(Tc)
4.5V,10V
2.5V @ 250µA
85nC @ 10V
4800pF @ 25V
4.1W(Ta),118W(Tc)
16 毫欧 @ 29A,10V
表面贴装
DPAK-3
TO-252-3,DPak(2 引线 接片),SC-63
标准卷带
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
19 周
MJE15028G
-
通孔
TO-220AB
TO-220-3
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NPN
8A
120V
500mV @ 100mA,1A
100µA
20 @ 4A,2V
50W
30MHz
-65°C ~ 150°C(TJ)
¥24.12
自营
2SC6082-1E
-
通孔
TO-220F-3SG
TO-220-3 整包
管件
-
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
2 周
NPN
15A
50V
400mV @ 375mA,7.5A
10µA(ICBO)
200 @ 330mA,2V
2W
195MHz
150°C(TJ)
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