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输出电平
电源电压
最大安装高度
最大工作电流
安装尺寸
类型
频率
频率容差
负载电容
ESR(等效串联电阻)
工作模式
工作温度
大小/尺寸
高度 - 安装(最大值)
容差
反向漏电流
正向电压
产品系列
整流器类型
最大连续正向电流
最大正向电压降
峰值反向电流
不同 Vr,F 时的电容
封装类型
系列
二极管配置
二极管类型
电流-平均整流(Io) (每二极管)
不同If时的电压-正向 (Vf)
速度
工作温度-结
安装类型
原产地
频率稳定度
等级
原厂标准交货期
配置
不同 Vr 时电流 - 反向泄漏
电压 - 齐纳(标称值)(Vz)
不同 If 时电压 - 正向 (Vf)
产品型号
晶体管类型
电阻器 - 发射极 (R2)
电阻器 - 基极 (R1)
发射极基底电阻器
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值)
不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值)
电流 - 集电极截止(最大值)
频率 - 跃迁
功率 - 最大值
供应商器件封装
封装/外壳
包装
制造商
达标情况
FET类型
技术
驱动电压
不同Id时的Vgs
不同Vgs时的栅极电荷
不同Vds时的输入电容
Vgs最大值
FET功能
功率耗散最大值
不同Id Vgs时的Rds On
电流集电极
电压集射极击穿
不同Ib,Ic时的Vce饱和值
电流集电极截止
不同Ic,Vce时的DC电流增益
功率最大值
频率跃迁
最大集电极电流
基底电阻器
最小电流增益
最大Vce 饱和值
最大集电极截止电流
最大功率
FET 类型
FET 功能
漏源极电压
电流连续漏极
最大Rds On
最大Vgs
最大栅极电荷
最大输入电容
参考类型
输出类型
电压输出
最大电压输出
电流输出
温度系数
噪声0.1Hz至10Hz
噪声10Hz至10Hz
电流阴极
-65°C ~ 150°C
±5%
-
表面贴装
-
3 个独立式
10µA @ 1V
900mV @ 10mA
8 周
MMBZ5228BTS-7-F
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
250MHz
-
DDTA123TUA-7
PNP - 预偏压
-
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
100mA
2.2k
100 @ 1mA,5V
300mV @ 500µA,5mA
500nA(ICBO)
200mW
-40°C ~ 85°C(TA)
±1%
-
表面贴装
-
ZR2431N801TA
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
分流器
可调式
1.24V
15V
25mA
52ppm/°C
-
-
100µA
-65°C ~ 150°C
-
肖特基
1A
500mV @ 1A
500µA @ 20V
110pF @ 4V,1MHz
DO-214AC,SMA
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
B120-13-F
SMA
剪切带(CT)
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-65°C ~ 150°C
±6%
3µA @ 2V
900mV @ 10mA
-
表面贴装
-
BZT52C4V7-13-F
SOD-123
SOD-123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
LVCMOS
1.8V
0.033"(0.85mm)
80µA
0.079" 长 x 0.063" 宽(2.00mm x 1.60mm)
XO(标准)
-40°C ~ 85°C
4-SMD,无引线
SaRonix-eCera™ KM
表面贴装
-
±25ppm
KM3270002
剪带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
16 周
DMN4027SSD-13
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.8W
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
40V
5.4A
27 毫欧 @ 7A,10V
3V @ 250µA
12.9nC @ 10V
604pF @ 20V
DCX123JU-7
1 个 NPN,1 个 PNP - 预偏压式(双)
50V
2.2k
47k
80 @ 10mA,5V
300mV @ 250µA,5mA
500nA
250MHz
200mW
SOT-363
6-TSSOP,SC-88,SOT-363
标准卷带
-
含铅/不符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-65°C ~ 125°C
±5%
100nA @ 8V
900mV @ 10mA
-
表面贴装
-
BZX84C12W-7-F
SOT-323
SC-70,SOT-323
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-40°C ~ 125°C
-
肖特基
1A
360mV @ 1.5A
1mA @ 30V
76pF @ 10V,1MHz
POWERDI®123
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
表面贴装
-
DFLS130LQ-7
PowerDI™ 123
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-
表面贴装
-
ZXMN3A04DN8TC
8-SOP
8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
1.81W
2 个 N 沟道(双)
逻辑电平门
30V
6.5A
20 毫欧 @ 12.6A,10V
1V @ 250µA(最小)
36.8nC @ 10V
1890pF @ 15V
¥7.80
自营
MHz 晶体
30MHz
±10ppm
20pF
40 欧姆
基谐
-20°C ~ 70°C
0.126" 长 x 0.098" 宽(3.20mm x 2.50mm)
0.030"(0.75mm)
SaRonix-eCera™ FL
表面贴装
-
±10ppm
-
FL3000027
4-SMD,无引线
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
SBR®
1 对共阴极
超级势垒
15A
980mV @ 15A
快速恢复 =< 500 ns,> 200mA(Io)
-65°C ~ 175°C
通孔
-
12 周
SBR30200CTFP
ITO-220AB
TO-220-3 全封装,隔离接片
管件
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
-55°C ~ 150°C(TJ)
-
通孔
-
16 周
ZVP3306A
TO-92-3
TO-226-3,TO-92-3 标准主体(!--TO-226AA)
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
P 沟道
MOSFET(金属氧化物)
10V
3.5V @ 1mA
-
50pF @ 18V
±20V
-
625mW(Ta)
14 欧姆 @ 200mA,10V
-
通孔
-
ZTX618
NPN
E-Line(TO-92 兼容)
E-Line-3
散装
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
3.5A
20V
255mV @ 50mA,3.5A
100nA
300 @ 200mA,2V
1W
140MHz
-55°C ~ 175°C(TJ)
表面贴装
-
8 周
DMTH8012LK3Q-13
TO-252-4L
TO-252-5,DPak(4 引线 接片),TO-252AD
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
N 沟道
MOSFET(金属氧化物)
4.5V,10V
3V @ 250µA
46.8nC @ 10V
2051pF @ 40V
±20V
-
2.6W(Ta)
16 毫欧 @ 12A,10V
-
表面贴装
-
16 周
DXT2013P5-13
PNP
PowerDI™ 5
PowerDI™ 5
标准卷带
符合限制有害物质指令(RoHS)规范要求
5A
100V
340mV @ 400mA,4A
20nA(ICBO)
100 @ 1A,1V
3.2W
125MHz
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